基于聯(lián)二噻吩的雙極型半導(dǎo)體和基于芘衍生物的氰離子探針的研究.pdf

1、本碩士論文的工作內(nèi)容是圍繞以下三個(gè)部分工作展開的。
　　1、基于并二噻唑內(nèi)核的聯(lián)噻吩類雙極型半導(dǎo)體的合成及其場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能研究
　　合成了兩個(gè)并二噻唑類小分子DH-TTFZTT和DPCO-TTFZTT。DPCO-TTFZTT是首次合成，是在DH-TTFZTT的基礎(chǔ)上引入一個(gè)羰基（-CO）作為吸電子基團(tuán)。研究了它們的溶解性、熱穩(wěn)定性（TGA和DSC）、紫外-可見光吸收及其電化學(xué)性質(zhì)。同時(shí)得到了DH-TTFZTT的單晶，其結(jié)構(gòu)

2、數(shù)據(jù)表明分子間存在強(qiáng)烈的S-S及S-π相互作用。進(jìn)一步測(cè)試兩種化合物的XRD和AFM，表征其在基底上的微觀結(jié)構(gòu)及表面形貌。真空蒸鍍薄膜有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)性能數(shù)據(jù)表明DH-TTFZTT是P型半導(dǎo)體材料，空穴遷移率是2.3×10-2cm2V-1s-1并且具有良好的可重復(fù)性，而由于羰基的引入使得分子帶隙變窄，LUMO能級(jí)明顯降低，并影響分子在固態(tài)中的排布進(jìn)而影響分子的電子傳輸特性，DPCO-TTFZTT顯示為雙極性特性，且具有均衡的

3、電子和空穴遷移率，分別為2.36×10-2cm2V-1s-1和2.41×10-2cm2V-1s-1，是已報(bào)道的第一個(gè)并二噻唑類的雙極型半導(dǎo)體材料。
　　2、基于DPP（吡咯并吡咯烷酮）內(nèi)核的聯(lián)噻吩類雙極型半導(dǎo)體的合成及其場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能研究
　　首次合成了兩個(gè)DPP類小分子，端基分別為烷基鏈、全氟取代烷基鏈的DPPTT-H和DPPTT-F。研究了兩個(gè)化合物的溶解性，紫外-可見光吸收、電化學(xué)性質(zhì)及其在基底上的XRD和AFM圖

4、。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明全氟鏈的引入降低了分子的軌道能級(jí)，改變了分子在固態(tài)中的堆積方式，提高了分子穩(wěn)定性，影響了分子的電子傳輸特性。空氣中測(cè)得的場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能數(shù)據(jù)顯示DPPTT-H為P型材料，其空穴遷移率為0.2cm2V-1s-1，而DPPTT-F為雙極型材料且具有十分均衡的電子和空穴遷移率，分別為1.12×10-2cm2V-1s-1，1.18×10-2cm2V-1s-1，是已報(bào)道的可在空氣中測(cè)得的DPP類小分子雙極型半導(dǎo)體材料的最高性能之一。