AlN陶瓷封裝互連基板的低溫共燒研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該文在把握低溫共燒陶瓷(LTCC)和AlN陶瓷研究現(xiàn)狀和動(dòng)向的基礎(chǔ)上,對(duì)AlN陶瓷基板的低溫?zé)Y(jié)和共燒銀金屬化進(jìn)行了探討研究.為AlN封裝互連基板的低溫共燒工藝積累了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù).主要研究?jī)?nèi)容如下:該實(shí)驗(yàn)采用AlN/玻璃復(fù)合燒結(jié)體系,以低熔點(diǎn)玻璃相作為燒結(jié)助劑.燒成的AlN陶瓷基板介電常數(shù)為5~7(室溫1MHz),熱導(dǎo)率最高達(dá)到10W/m·K以上,滿足作為高密度封裝互連基板的需要.研究了流延基板的排膠問(wèn)題,并對(duì)燒結(jié)體的顯微結(jié)構(gòu)和物相進(jìn)行了研

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