固相燒結多孔SiC的制備、結構、光致發(fā)光和電阻率.pdf

1、作為一種有潛在吸引力的材料，多孔SiC(PSC)可以用來制備紫外發(fā)光二極管、靈敏光探測器、碳氫氣體探測器和新穎的外延材料，目前被廣泛研究。引起大家感興趣的一個原因就是PSC比晶體SiC有更高的發(fā)光強度。本文采用粉末冶金和陶瓷工業(yè)中常用的固相燒結方法制備PSC，并測試了其光致發(fā)光譜(PL)和電阻率。PSC的制備過程包括粉末的凈化、壓坯的壓制、燒結過程和樣品的后處理。壓坯在500到1000MPa的壓力下壓制成型。在1.0atm的Ar氣保護下

2、進行燒結，選用的燒結時間從3小時到10小時，燒結溫度由1600℃到1900℃。燒結后，用于氧法在氧化爐中氧化并研磨或直接研磨的方法去除樣品表面過量的碳。使用SEM，XPS和XRD對樣品的結構和組成進行分析。結果顯示樣品已經形成了μm級連通孔洞的多孔組織，其主要成分是6H-SiC，3C-SiC和少量的CSi。用He-Cd激光器(325nm，10mW)對樣品的光致發(fā)光進行了測試。未經氧化研磨或研磨的樣品在室溫下有較高的發(fā)光強度，發(fā)光主峰位于