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文檔簡介
1、淺槽隔離技術(shù)是半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用相當(dāng)廣泛的一種新型隔離技術(shù),但在實(shí)際生產(chǎn)過程中,依舊存在著一些影響產(chǎn)品良率的問題。本論文研究發(fā)現(xiàn)刻蝕過程中產(chǎn)生的底部粗糙度、硅殘留缺陷與深度異常是影響產(chǎn)品良率的主要原因。為了提高產(chǎn)品良率,本文提出了解決上述問題的方案,并在實(shí)際生產(chǎn)中得到應(yīng)用。
本文采用原子力掃描探針顯微鏡(AFM)技術(shù)檢測了刻蝕底部粗糙度,對比了LAM9400 PTX與LAM9400 DFM兩種不同刻蝕機(jī)型結(jié)果,發(fā)現(xiàn)LAM9400
2、 PTX機(jī)型刻蝕底部粗糙較差,造成了產(chǎn)品良率的下降。針對PTX機(jī)型的問題,本文對原有的工藝條件進(jìn)行了優(yōu)化,如將氧氣流量從15sccm減到5sccm等方法,明顯改善了刻蝕底部粗糙度問題。
通過對刻蝕硅殘留缺陷形成機(jī)理分析,確定了機(jī)臺(tái)零部件老化是其形成的主要因素,經(jīng)過零部件更換,解決了硅殘留缺陷的問題。此外采取了重新定義關(guān)鍵零部件的有效使用時(shí)間,開發(fā)機(jī)臺(tái)缺陷追蹤補(bǔ)查軟件與增加機(jī)臺(tái)即時(shí)參數(shù)異常警示提醒功能,長效監(jiān)測機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性,減少了
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