淺溝槽隔離工藝的薄膜沉積.pdf

1、隨著半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，要求在有限的晶圓表面做盡可能多的器件，晶圓表面的面積變得越來(lái)越緊張，器件之間的空間也越來(lái)越小，因此對(duì)器件的隔離工藝要求越來(lái)越高。淺溝槽隔離工藝正好滿(mǎn)足了這一要求。
　　 本文簡(jiǎn)述了半導(dǎo)體集成電路工藝及其工藝中的器件隔離技術(shù)，重點(diǎn)研究淺溝槽隔離工藝。并從薄膜的沉積原理著手，結(jié)合化學(xué)氣相沉積工藝原理，研究利用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝制作的淺溝槽隔離薄膜。
　　 經(jīng)過(guò)對(duì)利用高密度等離子體

2、化學(xué)氣相沉積工藝制作的淺溝槽隔離薄膜的各項(xiàng)工藝參數(shù)的研究及相關(guān)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析，了解了硅烷、氧氣、氬氣、反應(yīng)時(shí)晶圓的溫度、反應(yīng)室的壓力、等離子體電場(chǎng)等工藝參數(shù)對(duì)薄膜沉積的影響。經(jīng)過(guò)改變其中某個(gè)工藝參數(shù)并觀察其對(duì)淺溝槽填充能力的影響的實(shí)驗(yàn)，得出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，并利用數(shù)據(jù)分析得出能很好的填充淺溝槽的薄膜的工藝參數(shù)配比，并將其應(yīng)用于實(shí)際的產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程。
　　 通過(guò)實(shí)驗(yàn)，得出了以下結(jié)論：在氧氣過(guò)量的條件下硅烷的氣體流量與沉積速率成正比例關(guān)系；化學(xué)