淺溝道隔離層小球狀缺陷的改善研究.pdf

1、在半導體濕法蝕刻中，氫氟酸廣泛的用于對氧化硅的去除工藝和清洗，是比較成熟的工藝，然而實踐中發(fā)現(xiàn)氫氟酸氧化硅的去除和清洗還很是會出現(xiàn)很多異常的問題。本文從生產實踐中出現(xiàn)的缺陷出發(fā)，分析了影響蝕刻率和清洗的各個因素，并通過實驗分析了各個因素對蝕刻率和清洗的具體影響。根據目前廣泛應用于生產中的技術，介紹如何對相關因素進行控制調節(jié)，給得到穩(wěn)定而良好的氫氟酸清洗效果。 本文主要針對0.18Nor Flash 前段的制造工藝在STI Oxi

2、de PreClean清洗過程中所遇到的淺溝道隔離層出現(xiàn)的小球狀缺陷(tiny ball)進行分析研究，通過大量的的對比性實驗，進行排查與分析，并利用各種先進的實驗的設備和器材，Wet bench高倍度電子掃描設備,先進的光學儀器和缺陷分析設備等,找到產生缺陷的原因,并且找到避免缺陷的產生的方法。從0.18 FLASH 制程中的缺陷早期檢測及缺陷的解決和預防的角度，提出一系列的解決方案，最終達到優(yōu)良率提升的目的，從而達到更優(yōu)化制造工藝。