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文檔簡介
1、垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(VCSEL)是當(dāng)前光電子學(xué)領(lǐng)域最活躍的研究課題之一。它與傳統(tǒng)的端面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(EEL)相比,具有閾值電流低、輸出光束發(fā)散角小、易與光纖耦合、易實(shí)現(xiàn)單縱模工作、易形成高密度二維陣列等優(yōu)點(diǎn),在光纖通信、光信息處理、.激光打印、光傳感等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。垂直耦合腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(CC-VCSEL)繼承了VCSEL的諸多優(yōu)點(diǎn),同時(shí)能夠很好的滿足光波分復(fù)用、THz頻率發(fā)生器、雙波長干涉測(cè)量等技術(shù)對(duì)雙波長發(fā)
2、光器件的特殊要求,因此也越來越受重視。 CC-VCSEL可以實(shí)現(xiàn)雙波長光輸出,且波長間隔可以通過調(diào)整中間DBR膜層對(duì)數(shù)及雙腔腔長失調(diào)比率來控制。本文第一部分從CC-VCSEL的內(nèi)部結(jié)構(gòu)出發(fā),建立起關(guān)于整個(gè)CC-VCSEL的傳輸矩陣模型,并利用傳輸矩陣法計(jì)算出固定載流子濃度下CC-VCSEL的激射波長;然后分析了中間DBR膜層對(duì)數(shù)、雙腔腔長失調(diào)比率及量子阱載流子濃度對(duì)輸出波長間隔的影響。計(jì)算結(jié)果表明在雙腔腔長相同的情況下,以940
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