熱絲法低溫制備多晶硅薄膜及其特性分析.pdf

1、本文首先綜述了熱絲化學氣相沉積法(HWCVD)制備多晶硅薄膜的發(fā)展過程，著重介紹了這種制備方法在近幾年的研究進展，并展望了今后發(fā)展趨勢和前景。在此基礎(chǔ)上，本文在制備高質(zhì)量多晶硅薄膜方面做了些探索性的工作：在較近的熱絲與襯底距離(5mm～10mm)下，在(100)單晶硅片和普通玻璃片上沉積出高質(zhì)量的多晶硅薄膜，研究了各種工藝參數(shù)對薄膜晶體取向、晶粒尺寸和形貌的影響規(guī)律。 研究發(fā)現(xiàn)：很近的熱絲與襯底間距(5mm)對多晶硅薄膜的晶體生

2、長方向有重大影響。在熱絲與玻璃襯底間距很近(5mm)時，襯底無論是(100)單晶硅片還是普通玻璃，沉積出多晶硅薄膜的擇優(yōu)取向隨溫度升高的變化規(guī)律都是(111)→(220)→(111)。對于多晶硅薄膜晶體擇優(yōu)取向的這種變化規(guī)律，未見過有文獻公開報道。而熱絲與玻璃襯底間距8mm和10mm時，沉積出多晶硅薄膜的生長方向并未隨熱絲溫度的升高出現(xiàn)明顯變化規(guī)律。另外，隨著熱絲與襯底間距的增大，沉積出的多晶硅薄膜樣品的晶化率明顯減小，薄膜的晶粒尺寸也