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文檔簡介
1、在該研究工作中,采用等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)法,在單晶Si(100)襯底上,在襯底溫度為400℃-700℃的低溫下,得到了高質(zhì)量的β-SiC薄膜.研究了生長的工藝參數(shù)對β-SiC薄膜成分和結(jié)構(gòu)的影響.探索到了低溫沉積β-SiC薄膜的最佳工藝條件,并在一定條件下制備出了納米晶β-SiC薄膜.采用熱燈絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)法,首次在單晶Si襯底上長有TiSi<,2>薄膜的表面沉積出金剛石薄膜.采用離子輔助轟擊法,以CH<
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