硅晶片缺陷模式分析研究.pdf

1、微電子技術(shù)飛速發(fā)展,導(dǎo)致芯片關(guān)鍵尺寸不斷下降,集成電路制造工藝也在不斷進(jìn)步.生產(chǎn)工藝越復(fù)雜,硅晶片出現(xiàn)缺陷的概率就越大.通常半導(dǎo)體制造商為追求投資回報(bào)率,需要將成品率控制在一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài).研究表明,制造工藝中造成硅晶片的缺陷是影響成品率的主要因素之一,為減少缺陷對(duì)成品率的影響,工程師需要一套在線缺陷模式分析系統(tǒng)輔助他們完成缺陷檢測(cè)工作.本文研究工作是圍繞硅晶片生產(chǎn)中缺陷模式分析這個(gè)基本問題展開.在缺陷分析研究檢測(cè)中,研究人員關(guān)注比較多的

2、是三種硅晶片統(tǒng)計(jì)圖:Wafermap,Binmap,Bitmap. 本文研究重點(diǎn)是Wafermap中缺陷模式分析的幾個(gè)問題,其主要內(nèi)容有: 介紹了缺陷模式分析基本研究?jī)?nèi)容和研究方法,并對(duì)缺陷分布分析設(shè)計(jì)中常見問題進(jìn)行分析.研究了譜聚類基本理論和算法,將譜分割理論應(yīng)用到線狀缺陷噪聲去除中,實(shí)驗(yàn)中采用兩個(gè)典型樣例進(jìn)行分析,結(jié)果表明在滿足一定目標(biāo)函數(shù)條件下,可以將線狀缺陷周圍無關(guān)的噪聲缺陷去除,為進(jìn)一步辨識(shí)線狀缺陷打下基礎(chǔ).

3、 提出了一種改進(jìn)的異常因子計(jì)算方法,通過對(duì)數(shù)據(jù)集中每點(diǎn)都找到它的κ近鄰點(diǎn),計(jì)算出κ近鄰離該點(diǎn)的平均距離,然后在以此距離為半徑的鄰域內(nèi)找到含有數(shù)據(jù)點(diǎn)的個(gè)數(shù)并求出它們的均值,將該值與當(dāng)前點(diǎn)平均距離內(nèi)點(diǎn)的個(gè)數(shù)的比值作為κ近鄰異常因子,將該因子應(yīng)用到硅晶片缺陷聚類分析中,通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證所提方法的準(zhǔn)確性和有效性. 研究了主曲線、多邊形線算法,提出用多邊形算法識(shí)別弧狀缺陷想法,討論了用擬牛頓法實(shí)現(xiàn)該算法的解決方案,針對(duì)硅片缺點(diǎn)模式分析中