可測(cè)試性設(shè)計(jì)技術(shù)及應(yīng)用研究.pdf

1、隨著微電子技術(shù)的迅速發(fā)展、芯片集成度的不斷提高以及電路板復(fù)雜性的不斷增加，傳統(tǒng)的測(cè)試模型和測(cè)試方法已經(jīng)不能滿足當(dāng)前的測(cè)試要求,測(cè)試費(fèi)用急劇增加。測(cè)試人員根據(jù)已經(jīng)設(shè)計(jì)好的系統(tǒng)來(lái)制定測(cè)試方案的方法已經(jīng)不適應(yīng)實(shí)際測(cè)試要求?；谝陨峡紤]，本文從如何有效提高可測(cè)試性、減輕對(duì)自動(dòng)測(cè)試設(shè)備的依賴和要求，結(jié)合應(yīng)用對(duì)數(shù)字電路和存儲(chǔ)器的可測(cè)試性設(shè)計(jì)進(jìn)行了重點(diǎn)研究。 首先本文介紹了可測(cè)試性設(shè)計(jì)(Design-For-Testability ,DFT)

2、的內(nèi)涵和方法，可測(cè)試性設(shè)計(jì)有兩種方法：專用可測(cè)試性設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)化可測(cè)試性設(shè)計(jì)（邊界掃描和內(nèi)建自測(cè)試）；研究了SCOAP測(cè)度和算法，分析了提高電路可測(cè)試性的方法。其次，本文對(duì)邊界掃描法的原理，電路實(shí)現(xiàn)方法和邊界掃描的描述語(yǔ)言（BSDL）進(jìn)行了分析，對(duì)8位D觸發(fā)器進(jìn)行了邊界掃描設(shè)計(jì),給出了原代碼和TAP控制器的仿真波形。再次，本文重點(diǎn)研究了可測(cè)試性設(shè)計(jì)的一種經(jīng)濟(jì)、實(shí)用的方法：內(nèi)建自測(cè)試（Build-In Self -Test, BIST），包

3、括隨機(jī)邏輯BIST和存儲(chǔ)器BIST；通過將測(cè)試生成及響應(yīng)分析邏輯置入電路的內(nèi)部，具有BIST功能的電路無(wú)須外部支持即可產(chǎn)生測(cè)試激勵(lì)、分析測(cè)試響應(yīng)，從而可使數(shù)字系統(tǒng)的測(cè)試和診斷快速而有效的進(jìn)行。本文介紹了內(nèi)建自測(cè)試的原理，測(cè)試算法和電路實(shí)現(xiàn)方法，對(duì)8位行波進(jìn)位加法器進(jìn)行了隨機(jī)邏輯BIST設(shè)計(jì)，對(duì)容量為16*8的ROM和RAM進(jìn)行了存儲(chǔ)器BIST設(shè)計(jì)。上述BIST設(shè)計(jì)的測(cè)試矢量生成電路、被測(cè)內(nèi)核、特征分析電路和內(nèi)建自測(cè)試控制電路在同一芯片內(nèi)