數(shù)字集成電路可測試性設(shè)計研究與應(yīng)用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著深亞微米技術(shù)的應(yīng)用,芯片的集成度大幅提高,但另一方面工藝制造過程中產(chǎn)生缺陷的概率也隨之提高。因此找出一種能夠檢測出這些缺陷的方法就變得極為重要,可測試性技術(shù)應(yīng)運而生。可測試性設(shè)計技術(shù)的難點在于時序電路,掃描設(shè)計方案可以較好地解決這個難題。隨著時序單元的增多,自適應(yīng)的掃描方案也逐漸被采用。各種類型的嵌入式存儲器大量集成于數(shù)字芯片中,由于芯片端口的限制,直接測試這些存儲器非常困難。本文在明確上述問題的基礎(chǔ)上對數(shù)字集成電路可測試性設(shè)計進行

2、了深入的研究,所提出的設(shè)計方法在MAC(Media Access Controller)芯片和EPA(Ethernet for Plant Automation)芯片中進行了應(yīng)用。
   本文詳細論述了時序電路中掃描設(shè)計和自適應(yīng)掃描設(shè)計的流程。自適應(yīng)的掃描壓縮方法在保證故障覆蓋率的前提下,能夠數(shù)十倍的減少測試矢量,進而減少測試所需時間,最終降低芯片成本。本文在MAC和EPA芯片的設(shè)計中分別應(yīng)用了掃描設(shè)計和自適應(yīng)掃描設(shè)計,然后對面

3、積和測試矢量加載的時間進行了評估。
   在存儲器的測試方面,本文先詳細描述了單端口和雙端口SRAM(static Random AccessMemory)的特性,之后介紹了SRAM中常用的功能故障模型,最后分別給出了單端口和雙端口存儲器內(nèi)建自測試(Memory Built—In Self—Test,MBIST)的測試策略。對于面向字的存儲器,它的測試方案可從面向位的存儲器測試方法直接擴展而來,只需選擇合適的背景數(shù)據(jù),本文對此做

4、了詳細的論述。
   可測試性芯片樣片的掃描功能測試如果利用ATE(Automatic Test Equipment)進行,所需費用是巨大的。本文提出了一種適用于樣片測試的測試平臺,并詳細論述了掃描功能的測試方法。
   可測試性設(shè)計功能的測試結(jié)果表明本文中所述方法是可行的。
   本文中的創(chuàng)新點包括:1、研究了單端口和雙端口SRAM以及Register file的特性,提出了針對于面向字的單端口和雙端口SRAM

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