硅基薄膜中半導體顆粒的形成機理及其相關物性.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于傳統(tǒng)的硅的生產(chǎn)技術已經(jīng)很成熟,所以在光電集成中,依然采用晶體硅作為基底,繼續(xù)沿用高度發(fā)展的硅集成工藝.如果能夠使硅基材料在可見光范圍內具有良好的發(fā)光特性,那么這種重要的半導體材料則有可能在飛速發(fā)展的光電子學中成為下一代電子學革命的基礎材料.該論文研究的目標是探討半導體顆粒在硅基薄膜中的形成機理,研究的結果不但有利于確定制備特定結構的硅基薄膜,而且亦有利于其發(fā)光機理的進一步探索.論文采用雙離子束濺射和射頻磁控濺射沉積技術,通過改變薄膜

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