基于顯色反應(yīng)測(cè)量CdS納米晶濃度的研究.pdf

1、半導(dǎo)體納米晶的量子限域效應(yīng)決定了其具有獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì)，可以用于基礎(chǔ)研究及發(fā)光二級(jí)管、生物標(biāo)記、激光、太陽(yáng)能電池等方向。但是，納米晶的提純、消光系數(shù)、粒子的濃度等基本問(wèn)題并未得到解決。通過(guò)對(duì)CdS納米晶的系統(tǒng)研究，本論文旨在建立回答這些問(wèn)題的基本方法。本論文主要工作包括以下幾方面：
　　 1.在CdS納米晶溶液的萃取過(guò)程中加入丁胺提高萃取效率。我們合成的CdS納米晶溶液中含有未反應(yīng)完全的前體以及副產(chǎn)物，通過(guò)文獻(xiàn)報(bào)道的萃取、沉淀方法

2、，可以除去脂肪酸鎘以外的雜質(zhì)。由于胺與脂肪酸鎘配位形成溶于極性溶劑中的絡(luò)合物，我們?cè)谳腿∵^(guò)程中加入胺可以除去羧酸鎘。紅外光譜檢測(cè)表明，四次甲醇-己烷兩相萃取后，己烷相中的羧酸鹽可達(dá)到不能檢測(cè)的濃度(>99％的萃取效率)。
　　 2.采用顯色反應(yīng)測(cè)量CdS納米晶中鎘離子含量，并計(jì)算出納米晶的消光系數(shù)。在非離子表面活性劑Triton X-100的存在下，鎘試劑在569nm處有吸收。在同樣條件下，鎘試劑與鎘離子生成配合物，以試劑空白作

3、為背景在478nm.形成一個(gè)吸收帶。與比爾定律相符，在0～8μg/mL范圍內(nèi)，配合物的濃度與478nm處吸光度和569nm處吸光度之差成正比。以此線性關(guān)系為工作曲線，可計(jì)算一個(gè)未知溶液中鎘離子濃度?？紤]CdS納米晶的幾何形貌、密度，從溶液中的鎘離子濃度可以算得CdS納米晶的消光系數(shù)。顯色反應(yīng)法簡(jiǎn)單易行、定量、重復(fù)性好。
　　 3.采用顯色反應(yīng)計(jì)算形貌、尺寸分布未知的CdS納米晶的產(chǎn)率，探討了經(jīng)典CdS納米晶合成反應(yīng)的反應(yīng)臨界溫度