2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、隨著MOSFET器件尺寸的進(jìn)一步縮小,由于溝道長(zhǎng)度的縮短而引起的短溝道效應(yīng)對(duì)器件的影響隨之增加,抑制器件短溝道效應(yīng)從而提高器件性能就顯得十分重要。
　　 在查閱國(guó)內(nèi)外相關(guān)文獻(xiàn)資料的基礎(chǔ)上,通過(guò)對(duì)MOS器件工作原理的深入分析,本文提出了一個(gè)由三種不同柵材料構(gòu)成的新型異質(zhì)柵MOS器件。
　　 采用二維器件模擬軟件ISE-TCAD的Mdraw模塊建立了三異質(zhì)柵MOS器件結(jié)構(gòu)；并用ISE-TCAD的Dessis模塊對(duì)所提出器件的

2、輸出特性曲線、亞閾值電壓、溝道電勢(shì)隨漏端電壓Id變化曲線的性能進(jìn)行了仿真模擬。
　　 仿真結(jié)果表明:本文所提出的三異質(zhì)柵器件的導(dǎo)通電流比傳統(tǒng)MOS器件高了1倍,比傳統(tǒng)的雙柵異質(zhì)柵器件提高了5％,說(shuō)明該器件可以在不犧牲泄露電流的情況下獲得較大的導(dǎo)通電流。溝道電勢(shì)與漏端電壓Id變化曲線模擬結(jié)果顯示三異質(zhì)柵器件的漏致勢(shì)壘降低(DIBL)效應(yīng)較?。婚撝惦妷浩魄€表明在柵長(zhǎng)大于150nm的情況下,三柵異質(zhì)柵器件有著良好的抑制閾值電壓漂移

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