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文檔簡介
1、當前,隨著MOS器件尺寸的不斷減小,硅基CMOS技術已經逐步達到其理論極限,而Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料因為具有更高的載流子遷移率,因此有望在未來取代硅作為溝道材料制備MOS器件。在這其中,GaAs具有很高的電子遷移率(~8000cm2/Vs),因此非常適合用來制備超高速、低功耗的n型MOSFET。此外,為了抑制器件尺寸減小帶來的柵極漏電增大問題,采用k值更高的柵介質材料以增大其厚度減小柵極漏電也變得不可避免。然而,直接在GaAs襯底上淀
2、積高k柵介質往往會導致大量的界面陷阱,使得器件性能退化。因此在高k柵介質淀積之前,有必要采取一些鈍化手段,如硫鈍化、引入界面鈍化層或F等離子體處理等,以改善器件的界面特性。另一方面,研究中發(fā)現,采用高k柵介質和GaAs、InGaAs等襯底材料的MOS器件往往存在明顯的積累電容頻率色散現象。這種現象與高k柵介質中的陷阱密切相關。因此,研究柵介質中的陷阱對MOS器件電容的影響十分必要。
在實驗上,首先在硫鈍化的GaAs晶片上分別淀
3、積LaON、LaGeON和LaSiON作為界面鈍化層,隨后淀積ZrON作為高k層制備MOS電容器,并進一步采用F等離子體處理界面鈍化層以改善器件的性能。研究發(fā)現,LaON和LaGeON界面鈍化層能顯著改善ZrON高k層與GaAs之間的界面質量,其中LaGeON界面鈍化層的鈍化效果更好,從而導致更好的電特性。對于采用LaSiON界面鈍化層的樣品,研究發(fā)現,采用F等離子體處理LaSiON界面鈍化層樣品的界面質量和電特性均較采用F等離子體處理
4、襯底表面或無F等離子體處理的樣品要好。綜合比較而言,采用F等離子體處理LaSiON界面鈍化層的樣品具有最好的界面特性及電特性,如低的界面態(tài)密度(1.08×1012cm-2eV-1)、小的平帶電壓(0.75V)、大的柵介質等效k值(18.3)以及低的柵極漏電(1.62×10-5A/cm2@Vfb+1V)。
在上述研究基礎上,進一步制備了采用LaTiON/LaON、ZrTiON/ZrAlON或ZrTiON/ZrLaON柵堆棧結構的
5、GaAs MOS電容器,其中LaON、ZrAlON和ZrLaON為界面鈍化層。研究發(fā)現,Al和La元素的引入顯著提高了ZrON對GaAs表面的鈍化效果,從而大大改善器件的界面特性。相比于采用ZrON作為高k層的樣品,Ti元素的引入明顯提高了柵介質的等效k值,使其達到25以上,從而使器件具有更小的電容等效厚度。上述界面鈍化層的引入能有效阻擋柵介質中Ti/O元素向襯底擴散以保護襯底表面不被氧化,從而抑制了襯底表面與缺陷相關的Ga-O、As-
6、O及As-As鍵的形成,最終獲得了優(yōu)良的界面特性,其中,以LaON的鈍化效果最佳,獲得的界面態(tài)密度為1.05×1012cm-2eV-1。在以上柵堆棧中,采用ZrTiON/ZrLaON柵堆棧的樣品則具有最好的柵極漏電特性和器件可靠性,以及低的界面態(tài)密度(1.07×1012cm-2eV-1)和平帶電壓(0.68V)。
在理論上,基于費米-狄拉克統(tǒng)計和疊加到柵壓中的交流小信號所誘導的陷阱的充放電效應,建立了柵介質中體氧化物陷阱的電容
7、效應模型,解釋了(In)GaAs MOS器件積累電容頻率色散的現象。所建模型忽略了陷阱的電導效應,從而避免了虛數的引入,但這對模型的準確性沒有影響。由理論計算獲得的陷阱電容通過兩種方式引入到MOS器件的電容體系中去,一是界面近似并聯方式,即近似認為陷阱電容的作用位置位于界面處,二是均勻分布并聯方式,即從實際出發(fā),認為陷阱的電容效應分布于柵介質中。模擬結果表明,后者更為精確,而前者在陷阱離界面足夠近時也比較精確。此外,還研究了氧化物陷阱位
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