NAND Flash控制器設(shè)計及基于SystemC的交易級驗證研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著移動終端設(shè)備、高可靠性存儲及高性能存儲服務(wù)等應(yīng)用對于體積小、重量輕、零噪聲、高可靠性存儲器的需求日趨強烈,基于NAND Flash型器件的存儲設(shè)備在存儲市場中占據(jù)越來越重要的地位。NAND Flash控制器實現(xiàn)對存儲芯片的存取訪問控制及差錯控制等功能,在當(dāng)前的單芯片系統(tǒng)中嵌入式NAND Flash控制器對于提高芯片集成度、降低系統(tǒng)成本和提高可靠性等都具有重要的意義。本文設(shè)計并實現(xiàn)了具有差錯控制功能的NAND Flash控制器IP核,

2、提出基于SystemC的交易級驗證方案對所設(shè)計的NAND Flash控制器進行了功能驗證。
　　本文首先針對美光公司的NAND Flash型存儲器芯片MT29F4G08AAA設(shè)計了控制器IP核。通過分析NAND Flash的接口信號和操作時序,將每項操作拆分為幾種基本的子操作,主要包括寫命令操作、寫地址操作、讀數(shù)據(jù)操作和寫數(shù)據(jù)操作,執(zhí)行一項或多項子操作來完成對NAND Flash的數(shù)據(jù)訪問。為提高數(shù)據(jù)的可靠性,設(shè)計了ECC(Err

3、or Correcting Code)模塊,通過對寫入和讀出NAND Flash的數(shù)據(jù)進行差錯控制編碼,實現(xiàn)檢測多位錯并糾正一位錯的功能。基于系統(tǒng)級描述及驗證語言SystemC,搭建了NAND Flash控制器的交易級驗證環(huán)境,對所設(shè)計的NAND Flash控制器進行了較為完備的驗證。
　　利用ModelSim實現(xiàn)了Verilog HDL和SystemC的混合仿真,通過分析生成的波形圖和仿真數(shù)據(jù),實現(xiàn)了對NAND Flash控制器

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