自對準硅化鈦工藝（Ti Salicide）的應用和優(yōu)化.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著大規(guī)模集成電路不斷向深亞微米(如0．25—0．18um)方向發(fā)展，金屬互連的材料對電路性能的影響越來越大，因此，對低電阻率和難溶的金屬硅化物(Silicide)的研究就顯得尤為關鍵。目前大部分以研究理論為主，而與工程實際相結合的研究不多。本篇論文主要是通過對金屬硅化物的研究，特別是難溶的金屬硅化物，對現有的0．25um工藝中難溶金屬硅化物進行了分析和評價，采用了一些先進工藝如預非晶化硅注入等，目的是解決自對準金屬硅化物工藝一些本身固

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