硅—硅直接鍵合工藝機理和模擬的研究.pdf

1、　　本文的研究工作是圍繞大功率器件的硅-硅直接鍵合技術(shù)展開的：研究鍵合工藝機理以消除界面空洞，研究工藝模型以模擬鍵合過程中雜質(zhì)分布和對鍵合技術(shù)制備高壓大功率p-i-n二極管的研究?！　”疚难芯苛斯?硅直接鍵合技術(shù)的工藝機理，提出了高溫退火的“開合”過程。通過大量的實驗和理論分析發(fā)現(xiàn)，在高溫(900℃以上)退火的過程中，鍵合界面應該有一個時間很短的“開合”過程，這個過程與鍵合界面空洞的產(chǎn)生機制密切相關，如果“開合”過程不充分，鍵合界面就

2、會產(chǎn)生空洞，并且不容易消除；研究了硅-硅直接鍵合工藝模型；研究了鍵合技術(shù)制備高壓大功率p-i-n二極管的疏水鍵合技術(shù)，與外延技術(shù)相比較，鍵合技術(shù)有獨特的優(yōu)勢：雜質(zhì)分布陡、N-或P-層缺陷密度小、少子壽命長、串聯(lián)電阻小。經(jīng)過流片實驗證明，鍵合襯底制備的高壓p-i-n二極管的電學性能明顯優(yōu)于外延襯底。另外，為了避免界面的缺陷對器件性能的影響，對鍵合工藝進行改進，利用反外延技術(shù)和硅-硅直接鍵合技術(shù)制備SOI襯底的優(yōu)點，提出了一種新結(jié)構(gòu)的襯底，