版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Device,OLED)具有主動(dòng)發(fā)光、能耗低、發(fā)光譜帶寬、品種多樣、制造成本低廉、輕薄、無(wú)角度依賴性等一系列優(yōu)點(diǎn)。OLED的電致發(fā)光過(guò)程中,75%的三線態(tài)和25%單線態(tài)激子同時(shí)生成,由于三線態(tài)到基態(tài)的躍遷是自旋禁阻的,所以只有25%的單線態(tài)熒光對(duì)發(fā)光有貢獻(xiàn),器件的發(fā)光效率較低。OLED器件的穩(wěn)定性、壽命等還有待進(jìn)一步提高,特別是由于有機(jī)發(fā)光材料不耐高溫,因而提高器件的發(fā)光效
2、率,減少熱損耗更成為提高器件穩(wěn)定性和使用壽命的關(guān)鍵。自旋極化注入是提高OLED效率的有效方法,本文在前人工作的基礎(chǔ)上,對(duì)OLED中自旋極化載流子的注入與輸運(yùn)進(jìn)行了理論研究,主要工作內(nèi)容如下:
(1)運(yùn)用漂移擴(kuò)散方程和載流子濃度連續(xù)性方程,結(jié)合泊松(Poisson)方程得出了自旋極化電子和空穴運(yùn)動(dòng)的微分方程,得到了自旋極化載流子濃度和擴(kuò)散長(zhǎng)度的關(guān)系,分析了不同方向的電場(chǎng)對(duì)擴(kuò)散長(zhǎng)度和自旋極化載流子運(yùn)動(dòng)的影響。電場(chǎng)通過(guò)改變自旋擴(kuò)
3、散長(zhǎng)度來(lái)影響自旋極化載流子的運(yùn)動(dòng)。對(duì)電子來(lái)說(shuō),電場(chǎng)方向和擴(kuò)散方向相同時(shí),電場(chǎng)增大會(huì)導(dǎo)致自旋擴(kuò)散長(zhǎng)度減小,擴(kuò)散變快,電子深入樣品的平均距離小,不利于在有限厚度薄膜中獲得高自旋極化率;電場(chǎng)方向和擴(kuò)散方向相反時(shí),電場(chǎng)越大,自旋擴(kuò)散長(zhǎng)度越大,有利于獲得高自旋極化率。對(duì)空穴來(lái)說(shuō),情況正好相反。
(2)從OLED結(jié)構(gòu)需求出發(fā),在“二流體”模型的基礎(chǔ)上,通過(guò)求解電極和有機(jī)半導(dǎo)體(Organic Semiconductor,OSC)中的電
4、化學(xué)勢(shì),應(yīng)用極化電流連續(xù)性得出載流子濃度極化率,結(jié)合朗之萬(wàn)(Langevin)電子空穴復(fù)合理論計(jì)算出單線態(tài)和三線態(tài)激子比率,討論了界面電導(dǎo)、電場(chǎng)、電極極化率、OSC和電極電導(dǎo)率匹配等因素的影響。研究發(fā)現(xiàn),兩電極注入反向極化的載流子并提高載流子濃度自旋極化率,有利于提高單線態(tài)和三線態(tài)激子的比率;自旋相關(guān)界面電阻、正向電場(chǎng)強(qiáng)度和電極自旋極化率的提高,電極和OSC電導(dǎo)率的匹配,有利于提高注入載流子濃度自旋極化率。
(3)考慮到O
5、SC中載流子的特性,將載流子分為自旋向上的單極化子、自旋向下的單極化子和無(wú)自旋的雙極化子,在“二流體”模型的基礎(chǔ)上建立了更加適合OLED的“三流體”模型,討論了單極化子比率、界面電導(dǎo)、電場(chǎng)、電極極化率、OSC和電極電導(dǎo)率匹配等因素的影響。研究表明,當(dāng)模型中雙極化子比率取為零時(shí),可以得到與“二流體”模型相同的結(jié)果;有機(jī)層中單極化子比率對(duì)注入自旋極化率的影響并不是單調(diào)變化的,它和電場(chǎng)、界面電導(dǎo)、電極極化率等因素有關(guān)。單極化子比率一定時(shí),增強(qiáng)
6、電場(chǎng)有利于提高單極化子濃度自旋極化率,引入自旋相關(guān)的界面電導(dǎo)可以有效解決有機(jī)層和電極電導(dǎo)率不匹配問(wèn)題。引入界面電阻后,界面處載流子的電化學(xué)勢(shì)不連續(xù),打破了界面處載流子的準(zhǔn)熱平衡,有利于提高單極化子濃度自旋極化率。
(4)考慮到不同自旋載流子之間的相互作用,從包含自旋庫(kù)侖拽引(Spin CoulombDrag,SCD)效應(yīng)的漂移擴(kuò)散方程出發(fā),模擬自旋極化載流子注入非簡(jiǎn)并OSC,討論了不同自旋通道之間的相互作用對(duì)注入自旋極化率
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 有機(jī)材料器件自旋注入和輸運(yùn)特性研究.pdf
- 提高OLED中載流子注入和傳輸效率及器件性能的研究.pdf
- 有機(jī)分子晶體中載流子的自旋極化.pdf
- 空穴直接注入型OLED器件的載流子傳輸與發(fā)光特性研究.pdf
- 半導(dǎo)體中的自旋霍爾效應(yīng)及自旋極化輸運(yùn)研究.pdf
- 有機(jī)自旋器件磁性滲透層中雙極化子對(duì)自旋極化輸運(yùn)的影響.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體中載流子的自旋極化性質(zhì)研究.pdf
- 分形半導(dǎo)體多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的自旋極化輸運(yùn)特性研究.pdf
- 自旋閥中的極化輸運(yùn)及相關(guān)自旋新材料、結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 載流子注入與分布對(duì)OLED器件的影響研究.pdf
- 半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)中的自旋極化輸運(yùn).pdf
- 磁調(diào)制超晶格中自旋極化電子的輸運(yùn).pdf
- 聚合物電致發(fā)光器件載流子注入及輸運(yùn)特性分析.pdf
- 半金屬低維系統(tǒng)中的自旋極化輸運(yùn).pdf
- 磁性異質(zhì)結(jié)的自旋注入及自旋輸運(yùn)性質(zhì)的研究.pdf
- OLED中電子注入的增強(qiáng)及熒光客體對(duì)載流子傳輸?shù)挠绊?pdf
- 自旋極化電流注入半導(dǎo)體的研究.pdf
- 鐵磁-半金屬隧道結(jié)中的自旋極化輸運(yùn).pdf
- 有機(jī)聚合物中高能載流子的自旋極化.pdf
- 雜質(zhì)對(duì)量子點(diǎn)接觸中自旋極化輸運(yùn)性質(zhì)的影響.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論