寬帶p-CuSCN薄膜弱堿條件下的電沉積.pdf_第1頁(yè)
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1、納米晶太陽(yáng)能電池(NPC)以其工藝簡(jiǎn)單，成本低廉等優(yōu)勢(shì)成為太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本文綜述了各種太陽(yáng)能電池的發(fā)展情況，研究了NPC電池固體空穴傳輸層CuSCN薄膜的電沉積制備及其在ZnO棒晶陣列中的填充過(guò)程和機(jī)理。 本文采用TEA作為絡(luò)合劑制備出穩(wěn)定的CuSCN的弱堿性水基電沉積溶液，pH值約為8.5～9，從而能確保不耐酸腐蝕的基底材料被有效使用；電沉積制備出了致密度高，透光性好及具有p型電導(dǎo)的CuSCN半導(dǎo)體薄膜；采用FES

2、EM、XRD、XPS、LIV-VIS表征了薄膜的結(jié)晶形貌、相組成、化學(xué)組成、透光率和帶隙值。研究了各種工藝參數(shù)，如陰極沉積電壓、電沉積溶液的組成、沉積時(shí)間和沉積溫度等對(duì)沉積過(guò)程和薄膜結(jié)構(gòu)與性能的影響。結(jié)果表明，這些工藝參數(shù)對(duì)電沉積薄膜的沉積速率、晶粒尺寸和致密度、晶粒的生長(zhǎng)方向等有重要影響。 最后，本文研究了CuSCN在ZnO棒晶陣列上的成核和生長(zhǎng)過(guò)程，并由此提出了CuSCN在ZnO棒晶陣列中填充時(shí)的反偏壓內(nèi)建電場(chǎng)沉積機(jī)理；電沉

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