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文檔簡介
1、毛細管電泳芯片非接觸電導(dǎo)檢測由于電極與溶液不接觸,有效地克服了檢測過程中電極易于污染和高壓干擾的難題,在生化分析領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。檢測靈敏度是限制非接觸電導(dǎo)檢測法發(fā)展的主要技術(shù)瓶頸。本文在研究電泳芯片原理的基礎(chǔ)上,提出了一種非接觸電導(dǎo)檢測池的等效電路模型,優(yōu)化了檢測池的結(jié)構(gòu)。采用邊界元的方法,解決了檢測電極間寄生電容較大的問題,有效的提高了非接觸電導(dǎo)法的檢測靈敏度。以PMMA為芯片的基底材料,完成了電泳芯片的制作。構(gòu)建了一種低成
2、本、重復(fù)性好、小體積的非接觸電導(dǎo)檢測系統(tǒng),完成了無機陽離子的分離檢測。
根據(jù)毛細管電泳非接觸電導(dǎo)檢測池的物理結(jié)構(gòu),提出了一種基于電阻電容網(wǎng)絡(luò)的非接觸電導(dǎo)檢測池的等效電路模型。建立了檢測池等效電路模型的微分方程,推導(dǎo)了等效電路模型的傳遞函數(shù)。根據(jù)等效電路模型仿真了檢測電極上的電流分布,研究了非接觸電導(dǎo)檢測池的電學(xué)參數(shù)和幾何參數(shù)對檢測靈敏度的影響,優(yōu)化了非接觸電導(dǎo)檢測池的各項參數(shù)。
針對現(xiàn)有電泳芯片的陽模板熱壓工藝中存在
3、的問題,利用精密機械加工的方法完成了金屬材料的陽模板制作。采用正交試驗的方法,確定了影響熱壓鍵合的主要因素。通過實驗研究了熱壓溫度、熱壓壓力和熱壓時間對PMMA電泳芯片微溝道截面形變量的影響。根據(jù)實驗結(jié)果,建立了PMMA電泳芯片的鍵合工藝參數(shù)模型(83℃,鍵合壓力0.6Mpa,鍵合時間為7分鐘),在該模型參數(shù)下,完成了厚度為30μm的電泳芯片蓋片與帶有分離溝道的基底材料的鍵合,溝道截面形變量為40%左右。
采用邊界元的方法,對
4、非接觸電導(dǎo)檢測電極間的寄生電容進行了仿真,優(yōu)化了非接觸電導(dǎo)檢測電極結(jié)構(gòu)。提出了一種新穎的三明治電極結(jié)構(gòu),解決了傳統(tǒng)電極結(jié)構(gòu)寄生電容較大的問題。實驗和仿真結(jié)果表明,兩檢測電極之間的寄生電容為10-15F,比現(xiàn)有的檢測器寄生電容減小了一個數(shù)量級。
構(gòu)建了一種基于ARM的非接觸電導(dǎo)檢測系統(tǒng)的硬件平臺,采用相敏檢波技術(shù)實現(xiàn)了非接觸電導(dǎo)信號的檢測。電泳信號的幅度由可編程增益放大器自動控制,ARM微處理控制4路高壓繼電器,實現(xiàn)了電泳芯片的
5、夾流進樣。系統(tǒng)可以采用USB和RS232串口兩種方式進行通信,由高精度的16位A/D轉(zhuǎn)換器完成電泳信號的數(shù)據(jù)采集。采用Microsoft Visual C++為軟件開發(fā)平臺,開發(fā)了電泳信號的數(shù)據(jù)采集與回放軟件,能夠完成電泳信號的實時顯示、保存和消噪功能。本文根據(jù)毛細管電泳信號的特征,建立了電泳信號的數(shù)學(xué)模型。提出了基于改進閾值函數(shù)的組合濾波法和模糊閾值結(jié)合平移不變兩種小波去噪算法。相對于硬閾值去噪,信噪比提高了3.5dB,峰形誤差為0.
6、29%。該方法有效解決了電泳信號去噪過程中產(chǎn)生的Gibbs現(xiàn)象,去噪算法具有較高的信噪比和較好的峰形保持能力。
在自行研制的毛細管電泳非接觸電導(dǎo)檢測平臺上,利用優(yōu)化的檢測池參數(shù),在220V/cm的分離電壓下,K+和Mg2+兩種無機陽離子能夠在40s的時間內(nèi)有效的分離檢測。對單粒子進行了多次重復(fù)性實驗,具有較好的重復(fù)性,峰形誤差小于1.5%。K+離子的檢測限在10-6mol/L。最后利用該可移動的電極結(jié)構(gòu),監(jiān)測了兩種無機陽離子在
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