基于65nm工藝的存儲器可測性設(shè)計.pdf

1、隨著超大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展，片上系統(tǒng)芯片(SystemOnaChip，SoC)的集成度和復(fù)雜度不斷提高，嵌入式存儲器占芯片面積比例也越來越大。由于嵌入式存儲器中晶體管密集，存在高布線密度、高復(fù)雜度和高工作頻率等因素，容易發(fā)生物理缺陷。嵌入式存儲器的成品率成為決定系統(tǒng)芯片成品率的重要因素。因此，嵌入式存儲器的測試顯得尤為重要，是可測性設(shè)計的重要組成部分。
　　存儲器內(nèi)建自測試(MemoryBuildinSelfTest，MBIS

2、T)是目前主流嵌入式存儲器的測試方案，其核心包括故障模型的定義以及基于各種故障模型衍生出的測試算法。本文提出一種改進的MBIST算法:MarchLR+算法。此算法基于傳統(tǒng)的MarchLR算法，其最大特點是能夠檢測所有簡單故障模型，同時保留原有MarchLR算法對聯(lián)接型故障的檢查能力。本文首先分析存儲器內(nèi)建自測試的基本原理以及常見的March算法，并使用故障原語對故障模型進行描述分析;在此基礎(chǔ)上，本文根據(jù)故障原語的敏化特性和檢測方式推導(dǎo)出

3、相應(yīng)的測試算法;最后在MarchLR算法基礎(chǔ)上增加相應(yīng)的March元素得到MarchLR+算法。
　　本文提出的MarchLR+算法及實現(xiàn)電路在SEP6200上進行驗證，該芯片使用TSMC65nmLP工藝。采用Mentor的Mbistarchitect生成MBIST電路，通過用戶自定義算法描述MarchLR+，并進行VCS仿真驗證。將MarchLR+算法與算法1（MarchLR與MarchC+的合并算法）、算法2(MarchLR與