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文檔簡介
1、該論文的工作可分兩部分.第一部分是關(guān)于異質(zhì)結(jié)帶階的研究.第二部分研究周期性磁場下單量子阱中電子的能帶結(jié)構(gòu).在帶階研究中,我們主要對應(yīng)變層異質(zhì)結(jié)的帶階進行研究.首先采用基于密度泛函理論框架下的模守恒贗勢法計算得到體半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu),接著我們把平均鍵能方法推廣應(yīng)用于應(yīng)變層異質(zhì)結(jié)的價帶和導(dǎo)帶帶階研究.該文的第二部分著重研究周期性磁場下GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As單量子阱中電子的能帶.我們采用脈沖磁場,利用有效質(zhì)量近似,對電子
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