2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、本文嘗試采用超臨界CO2萃取技術(shù)去除硅片上的有機(jī)污染物。通過對萃取前后硅片做電鏡掃描和X射線光電子能譜掃描研究了萃取前后的硅片表面的型貌和電子結(jié)構(gòu)的變化情況;分析了超臨界CO2溶解有機(jī)污染物的理論;通過做壓力、溫度和污染量的三因素三水平正交實驗,研究了三個主要因素(壓力、溫度、污染量)對萃取率的影響程度;通過實驗研究了壓力、溫度和污染量的變化對萃取率的影響;研究時間因素、超聲波和改性劑對萃取率的影響。
   掃描圖顯示硅片在萃取

2、實驗前后的型貌和電子結(jié)構(gòu)基本不發(fā)生變化,說明超臨界CO2萃取技術(shù)可以應(yīng)用于硅片上有機(jī)污染物的去除工藝中。通過正交實驗的級差結(jié)果分析知:壓力是對萃取率影響最大的因素,污染量次之,溫度影響最小。萃取率隨壓力的升高而升高;隨溫度的升高而升高;隨污染量的增加而略有降低,但是下降幅度不大。延長萃取時間對萃取率的提高是有限的;超聲波的影響幾乎可以忽略不計;改性劑能夠提高萃取率。
   在上述研究的基礎(chǔ)上,提出超臨界CO2萃取技術(shù)應(yīng)用于硅片表

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