一種新型吡唑啉衍生物的合成及其性能研究.pdf

1、太原理工大學碩士學位論文一種新型吡唑啉衍生物的合成及其性能研究姓名：陳簡申請學位級別：碩士專業(yè)：材料學指導教師：許并社20080501太原理工大學碩士研究生學位論文學循環(huán)伏安法確定了其電子能級結構，對P4的光物理、光化學以及發(fā)光機制進行了較為系統(tǒng)的討論。主要結果如下：(1)合成的P4具有良好的熱穩(wěn)定性，其玻璃化溫度(Tg=1215℃)與熔點(Tm=253。C)均較高，說明在吡唑啉環(huán)引入NPA基團有利于提高熱穩(wěn)定性和成膜性，抑制再結晶，這

2、就為其在電致發(fā)光器件中的應用提供了可能。(2)研究了P4薄膜狀態(tài)和溶劑狀態(tài)下的紫外吸收光譜。結果表明在薄膜，狀態(tài)和溶劑狀態(tài)下的紫外吸收光譜吻合較好只是發(fā)生譜線變寬。在365nm紫外光激發(fā)下，產生發(fā)光峰在523nm處，譜線帶寬為960rim，色純度06678，色坐標x=03257，y=05452，為光致黃綠光發(fā)射。(3)研究了P4在溶劑中的光物理性能。P4具有較高的熒光量子效率，從環(huán)己烷到乙腈，熒光發(fā)射峰值紅移47llm，這表明處于激發(fā)態(tài)

3、的分子經歷了強烈的分子內電荷轉移，我們認為由于5位給電子基團的存在，增強了1位N的供電子能力，強化了從N1到C3的分子內電荷轉移。(4)研究了P4化合物的電化學特性。通過電化學循環(huán)伏安法并結合吸收光譜可確定P4的氧化和還原電位分別為062V、225V計算出了HOMO和LUMO能級分別為536eV和249eV，禁帶寬度為287eV。(5)研究了P4的電致發(fā)光性能，用P4作為空穴傳輸層，發(fā)現(xiàn)器件發(fā)光層為Alq3層，而非P4層，P4在器件中起