一種新型吡唑啉衍生物的合成及其性能研究.pdf

1、太原理工大學(xué)碩士學(xué)位論文一種新型吡唑啉衍生物的合成及其性能研究姓名：陳簡申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：許并社20080501太原理工大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文學(xué)循環(huán)伏安法確定了其電子能級結(jié)構(gòu)，對P4的光物理、光化學(xué)以及發(fā)光機(jī)制進(jìn)行了較為系統(tǒng)的討論。主要結(jié)果如下：(1)合成的P4具有良好的熱穩(wěn)定性，其玻璃化溫度(Tg=1215℃)與熔點(diǎn)(Tm=253。C)均較高，說明在吡唑啉環(huán)引入NPA基團(tuán)有利于提高熱穩(wěn)定性和成膜性，抑制再結(jié)晶，這

2、就為其在電致發(fā)光器件中的應(yīng)用提供了可能。(2)研究了P4薄膜狀態(tài)和溶劑狀態(tài)下的紫外吸收光譜。結(jié)果表明在薄膜，狀態(tài)和溶劑狀態(tài)下的紫外吸收光譜吻合較好只是發(fā)生譜線變寬。在365nm紫外光激發(fā)下，產(chǎn)生發(fā)光峰在523nm處，譜線帶寬為960rim，色純度06678，色坐標(biāo)x=03257，y=05452，為光致黃綠光發(fā)射。(3)研究了P4在溶劑中的光物理性能。P4具有較高的熒光量子效率，從環(huán)己烷到乙腈，熒光發(fā)射峰值紅移47llm，這表明處于激發(fā)態(tài)

3、的分子經(jīng)歷了強(qiáng)烈的分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移，我們認(rèn)為由于5位給電子基團(tuán)的存在，增強(qiáng)了1位N的供電子能力，強(qiáng)化了從N1到C3的分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移。(4)研究了P4化合物的電化學(xué)特性。通過電化學(xué)循環(huán)伏安法并結(jié)合吸收光譜可確定P4的氧化和還原電位分別為062V、225V計(jì)算出了HOMO和LUMO能級分別為536eV和249eV，禁帶寬度為287eV。(5)研究了P4的電致發(fā)光性能，用P4作為空穴傳輸層，發(fā)現(xiàn)器件發(fā)光層為Alq3層，而非P4層，P4在器件中起