2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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1、在使用光掩模進(jìn)行硅晶片光刻的過程中，當(dāng)掩模板被光刻機(jī)激光照射一定時(shí)間以后，尤其是193nm或者193nm以下波長(zhǎng)光源的照射下，在掩模板上會(huì)逐漸生成所謂的霧狀缺陷(haze)。世界上大部分先進(jìn)的waferfab和光掩模制造廠都報(bào)道有霧狀缺陷的問題。 通過對(duì)霧狀缺陷成份的分析，硫酸銨(NH4)2S04化合物被認(rèn)為是最主要的霧狀缺陷成份。光掩模清洗后殘留的離子被認(rèn)為是霧狀缺陷產(chǎn)生的主要原因。 通過一個(gè)霧狀缺陷(haze)的加速

2、實(shí)驗(yàn)，比較光掩模在UV(172nm)輻射下，比較不同照射時(shí)間和不同表面離子濃度的對(duì)照實(shí)驗(yàn)，解釋了Haze的來源和形成機(jī)制。光源照射的累積能量越大和光掩模表面殘留離子濃度越高，Haze就越容易產(chǎn)生。 分析了傳統(tǒng)光掩模清洗工藝和使用的化學(xué)品，指出傳統(tǒng)光掩模清洗溶液SPM和SC一1是主要的離子殘留來源。 我們選擇對(duì)掩模板加熱處理和熱去離子水沖洗的方法，以達(dá)到去除表面化學(xué)殘留的目的。新的工藝是在傳統(tǒng)光掩模清洗后引入加熱處理和熱去

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