193nm光刻膠酸敏單體的合成研究.pdf

1、光刻膠是在制造超大規(guī)模集成電路(ULSI)的光刻工藝所需的關(guān)鍵材料，目前世界研究的熱點(diǎn)是在硅片上刻蝕幾十納米高分辨率的193nm光刻膠。英特爾已成功將193nm光刻膠應(yīng)用于浸沒式光刻機(jī)作為光刻設(shè)備主流，而我國193nm光刻膠技術(shù)還不算成熟，存在裂縫、表面粗糙和非曝光區(qū)膠膜部分溶解所造成的膠膜溶脹問題，因此開發(fā)和合成新型高效193nm光刻膠酸敏單體具有重要理論意義和應(yīng)用價(jià)值。
　　甲基丙烯酸金剛烷酯類化合物廣泛應(yīng)用于193nm光刻膠

2、主體樹脂和酸敏單體結(jié)構(gòu)中，我合成了四個(gè)新型的193nm光刻膠酸敏單體，即甲基丙烯酸(2-甲氧甲基-2-金剛烷)酯、甲基丙烯酸(2-乙氧甲基-2-金剛烷)酯、甲基丙烯酸（2-丙氧甲基-2-金剛烷）酯、甲基丙烯酸（2-異丙氧甲基-2-金剛烷）酯，總收率分別為60％、50％、35％、20％，制備的化合物純度均大于96％，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)經(jīng)1HNMR、IR、MS表征。對上述酸敏單體進(jìn)行了酸解速率常數(shù)測試，酸解速率最高的酸敏單體是甲基丙烯酸（2-甲氧甲基

3、-2-金剛烷）酯，酸解速率常數(shù)k為-11.04，是目前正在應(yīng)用的甲基丙烯酸（2-甲基-2-金剛烷）酯的7.3倍。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果得到，甲基丙烯酸(2-甲氧甲基-2-金剛烷)酯的制備收率、酸解速率是最好的。
　　對甲基丙烯酸(2-甲氧甲基-2-金剛烷)酯合成工藝的溶劑、反應(yīng)物配比、反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間、催化劑及加料方式等影響因素進(jìn)行了考察。另外探討了另一種合成甲基丙烯酸(2-甲氧甲基-2-金剛烷)酯的方法，即以二甲基亞砜為原料合成三甲基硫氧