銅互聯(lián)工藝中的DFM方法研究.pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)代的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的SOC芯片設(shè)計逐漸變得無法制造,這個問題在銅互聯(lián)技術(shù)中表現(xiàn)的尤為突出。本文針對銅互聯(lián)工藝的幾項關(guān)鍵技術(shù),展開了相關(guān)的DFM基礎(chǔ)研究,論文主要包括以下內(nèi)容:
　　(1)光刻OPC建模和檢驗。利用光學(xué)仿真,得到傳統(tǒng)照明條件和6％透射率的移相掩模板組合是最佳的雙重曝光組合,實際的試驗結(jié)果也與模擬相同。經(jīng)過優(yōu)化,光刻膠B在傳統(tǒng)照明條件(248nm 0.68NA/0.5sigma)和6%透射率的移相掩模板組

2、合的曝光條件下表現(xiàn)最為優(yōu)異,其工藝窗口符合雙重曝光需求,經(jīng)過OPC修正后,各種不同Pitch下的線寬差異減小到+/-5nm以內(nèi),并且版圖、OPC模擬圖像和SEM照片完美重合,使得設(shè)計具備了可制造性,可以進行量產(chǎn)試驗。
　　(2)鎢CMP工藝建模及檢驗。提出鎢CMP時侵蝕的模型,該模型與試驗數(shù)據(jù)能很好地吻合。贗侵蝕是該模型的重要概念。模型可用于指導(dǎo)CMP工藝中的關(guān)于凹陷和侵蝕的分析,由此減少工藝監(jiān)控環(huán)節(jié),降低成本。
　　(3)