離子徑跡蝕刻過程及溫敏智能膜的制備研究.pdf

1、電導(dǎo)蝕刻法已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于離子徑跡的結(jié)構(gòu)研究，而其研究的準(zhǔn)確性極大的取決于數(shù)值分析過程中所采用的各種假設(shè)。針對理論假設(shè)與實際蝕刻過程不符的情況，我們考慮了徑跡穿孔時間分布、孔形以及微孔中蝕刻液的電導(dǎo)率隨蝕刻時間變化等因素，采用將徑跡沿著離子入射方向分層的方法改進(jìn)了徑跡蝕刻模型，并通過數(shù)值計算研究了各種因素對徑跡蝕刻過程中電導(dǎo)測量結(jié)果的影響，獲得了有關(guān)離子徑跡微觀結(jié)構(gòu)、微孔中蝕刻液電導(dǎo)率隨孔徑的變化以及徑跡蝕刻速率比對孔形的影響等信息。<

2、br>　　 將該改進(jìn)模型用于分析UV敏化PET徑跡膜的蝕刻過程，發(fā)現(xiàn)UV敏化對徑跡尺寸影響不大，只是敏化處理提高了徑跡蝕刻速率比，從而導(dǎo)致蝕刻出的孔形隨敏化時間延長而由雙錐形逐漸變?yōu)閳A柱狀。這點(diǎn)已被蝕刻實驗后樣品的SEM測試結(jié)果所證實。
　　 將UV敏化和化學(xué)蝕刻法相結(jié)合制備出不同孔徑、孔形的PET徑跡膜，采用共輻照的方法，在PET徑跡膜上接枝NIPAAm制備出具有溫度響應(yīng)性能的智能膜，研究了孔尺寸與孔形狀對其溫敏效果的影響。

3、研究表明，在該實驗條件下，當(dāng)接枝率為5％時，UV敏化60-180min時為最佳，UV敏化時間過長或過短都會由于孔徑、孔形的影響而對接枝后膜的溫敏性能不利。
　　 用同樣的方法將N-異丙基丙烯酰胺(NIPAAm)接枝到PVDF微孔膜上。研究了輻照條件對接枝率的影響，通過SEM、FT-IR和XPS等研究手段對微孔膜的接枝情況進(jìn)行了表征，并通過接觸角、電導(dǎo)和水通量測試研究了接枝微孔膜的表面改性、滲水性能和溫敏性能。結(jié)果表明，通過共輻射