SiGe材料的橢圓偏振光譜研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SiGe是繼Si和GaAs之后的一種重要半導體材料。SiGe材料通過對Ge組分的調控可剪裁SixGe1-x的能隙寬度、改變載流子的遷移率，從而獲得高性能。目前，國內外主要采用二次離子質譜(SIMS)法和X射線衍射(XRD)法對SiGe薄膜進行表征。但這些方法或者存在破壞性，或者信噪比低，不能充分實現(xiàn)目前SiGe技術的發(fā)展需求。橢圓偏振光譜(SE)技術具有靈敏度高、無破壞性、對環(huán)境要求不苛刻等特點。國外利用SE進行SiGe材料和器件的研究

2、工作較多。國內尚未對SiGe材料進行系統(tǒng)的橢圓偏振光譜研究。
　　 本文即從此入手，首先介紹SiGe這一新興半導體材料的性質和應用。然后制備了不同工藝條件下的SiGe薄膜樣品，采用橢圓偏振光譜技術對這一系列樣品進行了研究。確定了SixGe1-x層的厚度、光學常數(shù)和Ge組分，對不均勻的SixGe1-x層沿厚度方向進行了組分梯度的表征。其結果與二次離子質譜法測試結果具有較好的一致性。并在此基礎上，分析了退火溫度、退火時間對應變的影響

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