X波段陣面校準技術(shù)研究.pdf

1、隨著半導體技術(shù)，包括各類晶體管、集成電路、信號處理、數(shù)據(jù)處理和計算機技術(shù)等突飛猛進的發(fā)展，極大地推進了相控陣雷達技術(shù)的發(fā)展，并降低了相控陣雷達的造價，當前世界各國新研制的雷達多數(shù)為相控陣雷達。 相控陣天線依靠控制各通道的相位，實現(xiàn)波束掃描，而通道的幅相變化將影響到陣面性能，因此必須開展陣面校準的方法研究，校準方案反過來又影響著相控陣系統(tǒng)的設(shè)計。為達到校準和診斷的目的，專家學者研究了多種方法，如內(nèi)監(jiān)測校準法、外監(jiān)測中場校準法、遠場

2、校準法等這些方法具有一定的適用對象，在系統(tǒng)設(shè)計時必須考察使用條件。 本文以X波段試驗陣面為平臺，著重研究了外監(jiān)測技術(shù)中極化效應(yīng)和校準算法。本文分析了線極化的收發(fā)天線間極化效應(yīng)引入誤差的形式，進行了研究仿真，給出抑制收發(fā)天線間極化效應(yīng)誤差的約束條件；在校準過程中，傳統(tǒng)的單路通方法的測試信號通過波束形成網(wǎng)絡(luò)后，信號功率衰減較大，致使信噪比太低，嚴重影響到校準結(jié)果，本文提出了“局部反相法”，測試過程中子陣級單元全部導通，通過控制某幾個