Ni-SiC復合沉積電極過程動力學及鍍層電化學腐蝕行為研究.pdf

1、本課題主要對復合電沉積的機理進行了研究，特別是第二相粒子的引入對晶粒成核和生長機理的影響。應用掃描電鏡，X-射線衍射，對SiC粉體的形貌、結構進行分析，借助精密pH計就SiC粉體在鍍液中吸附特性進行了檢測。在此基礎上，利用CHI660C電化學工作站對純鎳體系、Ni-SiC復合體系和加入促進劑的復合體系電沉積過程進行了循環(huán)伏安、計時安培和交流阻抗譜測試。論文還就三類鍍層在3.5％NaCl和3.5％NaCl+0.3％H2O2腐蝕體系中的電化

2、學行為采用極化曲線、交流阻抗等電化學手段進行了監(jiān)測分析。 試驗結果表明，SiC粉體呈不規(guī)則多邊形，平均粒徑約7 μm，其晶型主要為6H即六方結構。SiC顆粒加入到Watts鍍液中，將會吸附鍍液中H+離子而使表面荷正電，在鍍液pH為3.70左右，其吸附量最大。 恒電位階躍分析表明，復合沉積鎳電結晶形核經(jīng)歷兩相繼過程，第一過程沉積伊始形核遵循BFT模型連續(xù)成核機制，而后隨電位負移過渡到BFT瞬時成核機制，第二過程隨電位負移先

3、后吻合BFT瞬時成核或SH瞬時成核理論曲線；無論Ni-SiC復合鍍層還是純Ni鍍層，形核弛豫時間tm隨負電位的增大，呈現(xiàn)規(guī)律性遞減趨勢，相應的Im值基本相近；SiC粉體的引入導致Ni形核過電位正移和tm的顯著減小。 交流阻抗表明，非法拉第電位區(qū)，SiC粉體的表面吸附(或附著)改變了電極表面的荷電狀態(tài)，打破了內(nèi)Helmholtz面大分子和水化離子對電極的屏蔽，大幅降低了復合體系的電荷傳輸電阻。而在臨近及此后沉積電位區(qū)，純鎳表面雙電