干法刻蝕工藝如何應(yīng)對(duì)193納米光刻膠的挑戰(zhàn).pdf

1、隨著集成電路制造工藝的不斷發(fā)展，193納米光刻工藝將取代248納米光刻工藝以應(yīng)對(duì)90納米以下線寬器件的工藝要求。對(duì)應(yīng)光刻工藝的變化和器件尺寸的日趨細(xì)小，干法刻蝕工藝正面對(duì)前所未有的挑戰(zhàn)?？涛g過(guò)程中，兩個(gè)突出的問(wèn)題限制了光刻膠的表現(xiàn)：低的刻蝕選擇比(相對(duì)與248納米光刻膠)和差的線條粗糙度(眾說(shuō)周知的條紋表現(xiàn)即striation現(xiàn)象)。 本文首先對(duì)193nm和248nm光刻膠的成分，特性進(jìn)行了對(duì)比分析，然后分別針對(duì)紫外線，中性粒子

2、，反應(yīng)性離子團(tuán)和物理性離子轟擊對(duì)193nm光刻膠的影響進(jìn)行了試驗(yàn)研究，從而得出是絕緣體刻蝕中的離子轟擊和化學(xué)反應(yīng)的共同影響造成光刻膠產(chǎn)生了問(wèn)題。根據(jù)這一實(shí)驗(yàn)結(jié)果，對(duì)刻蝕中的工藝參數(shù)(功率，頻率比，氣體比，流量，壓力，溫度和增加氫氣)進(jìn)行分別的調(diào)整進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)，從而了解它們?cè)诳涛g過(guò)程中對(duì)光刻膠的影響機(jī)理，為解決193nm光刻膠出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)變形(溝槽垂直度，側(cè)壁粗糙，線條扭曲，針孔現(xiàn)象)和striation現(xiàn)象等問(wèn)題提供了相應(yīng)的處理辦法，以應(yīng)對(duì)