100nm線寬ArF步進(jìn)掃描投影光刻機(jī)步進(jìn)和同步掃描運(yùn)動(dòng)模型研究.pdf_第1頁(yè)
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1、集成電路制造技術(shù)一直按照摩爾定律不斷向前發(fā)展，提高光刻分辨力是現(xiàn)代光刻技術(shù)的核心內(nèi)容，而提高光刻分辨力的主要手段是進(jìn)一步增大光刻物鏡的數(shù)值孔徑和縮短曝光波長(zhǎng)，與此同時(shí)芯片尺寸越來(lái)越大，采用直接成像步進(jìn)曝光的方式，光刻物鏡的難度已經(jīng)到了極點(diǎn)，采用193nm的曝光波長(zhǎng)、大數(shù)值孔徑、狹縫視場(chǎng)結(jié)合掩模硅片步進(jìn)掃描技術(shù)是光刻技術(shù)發(fā)展的必然。本論文系統(tǒng)研究步進(jìn)掃描投影光刻機(jī)的原理，討論步進(jìn)掃描光刻機(jī)的坐標(biāo)體系及坐標(biāo)系變換，分析對(duì)準(zhǔn)方式和對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，在

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