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1、隨著IC制造業(yè)的迅速發(fā)展,光刻成像技術(shù)的不斷提高,芯片的特征尺寸也不斷的縮小,而關(guān)鍵尺寸的縮小則產(chǎn)生了對(duì)套刻精度更高的要求。套準(zhǔn)精度(Overlay)是現(xiàn)代高精度步進(jìn)掃描投影光刻機(jī)的重要性能指標(biāo)之一,也是新型光刻技術(shù)需要考慮的一個(gè)重要部分。套準(zhǔn)精度將會(huì)嚴(yán)重影響產(chǎn)品的良率和性能。提高光刻機(jī)的套準(zhǔn)精度,亦是決定最小單元尺寸的關(guān)鍵。我們有必要研究IC制造工藝與光刻對(duì)準(zhǔn)的關(guān)系,從而挖掘出影響光刻對(duì)準(zhǔn)精度的因素,并加以改進(jìn)。 套準(zhǔn)精度就是
2、微影制程中,當(dāng)前層與前層之間的疊對(duì)精度。如果微影制程的套準(zhǔn)精度超過誤差容忍度,則層間設(shè)計(jì)電路可能會(huì)因?yàn)槲灰飘a(chǎn)生斷路或短路,從而影響產(chǎn)品良率。套準(zhǔn)誤差產(chǎn)生的原因有很多種形式,其中包括平移、旋轉(zhuǎn)、擴(kuò)張等各種形式,而不同的誤差形式都會(huì)對(duì)曝光位置的偏移量造成不同的影響。 本文通過對(duì)光刻機(jī)的理論分析和實(shí)驗(yàn)結(jié)果,了解影響光刻機(jī)套準(zhǔn)精度的一些方面,并加以改善。我們將從三個(gè)方面加以探討和研究:討論光刻機(jī)外在溫度對(duì)晶圓的影響而引起的套準(zhǔn)誤差,并從
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