成人顳骨標(biāo)本植入REZ-1人工耳蝸電極的實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、第一部分成人顳骨標(biāo)本植入REZ-1人工耳蝸電極位置的研究 目的：探討成人植入國產(chǎn)REZ一1人工耳蝸的最多植入電極數(shù)、植入過程、電極環(huán)定位和改變植入方式對于電極環(huán)位置的影響。 材料和方法：12例成人顳骨標(biāo)本暴露前庭階，Zeiss顯微鏡下植入REZ．1人工耳蝸電極，觀察能植入耳蝸的最多電極環(huán)個(gè)數(shù)，植入的過程，電極在鼓階的位置。植入電極后測量每個(gè)電極環(huán)盤曲蝸軸的角度、與蝸軸的距離，根據(jù)植入電極的序數(shù)使用Spss¨．5進(jìn)行函數(shù)擬

2、合。植入電極后回撤1個(gè)電極環(huán)，測量每個(gè)電極環(huán)盤曲蝸軸的角度、每個(gè)電極環(huán)與蝸軸的距離。 結(jié)果：REZ—l電極可以植入耳蝸22～27個(gè)電極環(huán)，幾乎全部電極環(huán)靠鼓階外側(cè)壁。植入電極沒有造成骨螺旋板骨折或穿破基底膜。從耳蝸開窗開始計(jì)數(shù)電極環(huán)時(shí)，蝸內(nèi)電極環(huán)盤曲蝸軸的角度符合二次方程函數(shù)(F=11393．8，p<0．001)，第1．9個(gè)電極環(huán)與蝸軸的距離符合對數(shù)函數(shù)(F=1001．44，p<0．001=，第10個(gè)及其以上電極環(huán)符合線性函數(shù)(

3、F=1602．06，p<0．001)?；爻?個(gè)電極環(huán)與常規(guī)植入比較，第10～16個(gè)電極環(huán)與蝸軸距離明顯減小(配對t檢驗(yàn)，p<0．05=。 結(jié)論：REZ．1電極可以達(dá)到植入的有效深度，貼靠鼓階外側(cè)壁。REZ．1電極植入耳蝸不會(huì)造成骨螺旋板骨折或穿破基底膜。每個(gè)蝸內(nèi)電極環(huán)盤曲蝸軸的角度、每個(gè)電極環(huán)與蝸軸的距離可以通過函數(shù)方程計(jì)算?；爻?個(gè)電極環(huán)可以使部分蝸內(nèi)電極環(huán)靠近蝸軸。 第二部分成人顳骨標(biāo)本植入R1EZ-1人工耳蝸電極的

4、影像學(xué)研究 目的：找到耳蝸位攝片計(jì)數(shù)REZ一1電極植入的耳蝸開窗位置，從而準(zhǔn)確判斷植入耳蝸的電極環(huán)個(gè)數(shù)，為通過函數(shù)計(jì)算每個(gè)電極環(huán)盤繞蝸軸的角度提供幫助。探討3D螺旋CT多層面重建對于人工耳蝸植入術(shù)后的應(yīng)用價(jià)值。 材料和方法：12例成人顳骨標(biāo)本植入REZ一1電極后，針頭標(biāo)志耳蝸開窗口，耳蝸位攝片。連接前庭中心同上半規(guī)管頂點(diǎn)，沿著前庭外緣做平行于此線的切線，計(jì)數(shù)切線耳蝸側(cè)的電極個(gè)數(shù)，同針頭標(biāo)志的方法進(jìn)行對比。5例成人顳骨標(biāo)本

5、植入REZ．1電極后3D螺旋CT多層面重建。 結(jié)果：耳蝸位攝片后，兩種方法計(jì)數(shù)蝸內(nèi)電極個(gè)數(shù)的結(jié)果一致。3D螺旋CT和重建無法分辨REZ一1單個(gè)電極環(huán)，電極環(huán)的寬度增加了大約1倍。3D螺旋CT多層面重建顯示REZ-1電極植入的深度同耳蝸位攝片相符。3D螺旋CT多層面重建顯示，蝸內(nèi)電極環(huán)靠鼓階外側(cè)壁。 結(jié)論：3D螺旋CT和多層面重建無法分辨蝸內(nèi)的REZ一1單個(gè)電極環(huán)。3D螺旋CT多層面重建可以顯示電極植入的深度和電極在鼓階中

6、的位置。 第三部分成人顳骨標(biāo)本植入REZ-1人工耳蝸電極后阻抗的研究 目的：研究電極對之間的阻抗與電極對之問的距離、電極對在鼓階中位置的關(guān)系。探討外淋巴干涸對電極與蝸軸之間阻抗的影響以及電極靠近蝸軸對于電極與蝸軸之間阻抗的影響。 材料和方法：3例新鮮成人頭顱標(biāo)本植入REZ一1電極后，采用交流信號源，串聯(lián)一個(gè)1KQ的標(biāo)準(zhǔn)電阻，分別測量標(biāo)準(zhǔn)電阻和電路中總的電壓，從而計(jì)算出電極之間的阻抗。分別測量頂端電極環(huán)依次與第2個(gè)

7、、第3個(gè)到第20個(gè)電極環(huán)之間的阻抗，電極頂端到尾端相鄰電極環(huán)、相隔一個(gè)電極環(huán)之間的阻抗，刺激頻率分別采用2Hz、10Hz、100Hz、1KHz、10KHz進(jìn)行測試。6例成人顳骨標(biāo)本模擬外淋巴充盈和外淋巴干涸情況下，分別在鼓階不同位置測量蝸軸和鼓階內(nèi)、外側(cè)壁之間的阻抗，刺激頻率分別采用100Hz、1KHz、10KHz進(jìn)行測試。 結(jié)果：阻抗隨著電極對之間距離的增加而增加。隨著電極對位置從頂旋到底旋，相鄰電極對之間的阻抗減小(線性回歸

8、，F(xiàn)=i98．97，p<0．001)。隨著電極對從頂旋到底旋，相隔電極對的阻抗減小(線性回歸，F(xiàn)=126．35，p<0．001)。電極位于鼓階內(nèi)側(cè)壁時(shí)，電極與蝸軸的阻抗小于電極位于鼓階外側(cè)壁(配對t檢驗(yàn)，p<0．05)。外淋巴液充盈時(shí)鼓階內(nèi)電極與蝸軸問的阻抗小于外淋巴液干涸時(shí)(配對t檢驗(yàn)，p<0．001)。 結(jié)論：蝸內(nèi)電極對之間的阻抗隨著電極對之間距離的增大而增大。蝸內(nèi)電極對之間的阻抗隨著由底旋到頂旋不斷增大。外淋巴干涸時(shí)，蝸內(nèi)