基于動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償?shù)牡蛪航稻€性穩(wěn)壓芯片的研究與設(shè)計(jì).pdf

1、本論文在分析一般負(fù)反饋系統(tǒng)穩(wěn)定性的基礎(chǔ)上，對(duì)LDO線性穩(wěn)壓器(LowDropout Linear Regulator)的穩(wěn)定性進(jìn)行了深入地分析研究和穩(wěn)定性動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償設(shè)計(jì)。 首先，建立了LDO線性穩(wěn)壓器系統(tǒng)的交流小信號(hào)等效模型，在此等效模型的基礎(chǔ)上，采用頻域傅立葉分析的方法，求出了LDO線性穩(wěn)壓器系統(tǒng)的閉環(huán)傳輸函數(shù)，在對(duì)系統(tǒng)零極點(diǎn)分析的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，LDO線性穩(wěn)壓器系統(tǒng)的主極點(diǎn)的位置隨負(fù)載電流的大小在變化：f<,po>=λI<,L

2、>/2πC<,out>負(fù)載電流大小的不同使得LDO線性穩(wěn)壓器隨時(shí)都可能振蕩。針對(duì)此情況，本論文給出了一種LDO線性穩(wěn)壓器穩(wěn)定性動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償?shù)姆椒ǎ摲椒ǖ闹饕枷胧抢肕OS管開(kāi)關(guān)電阻和寄生電容構(gòu)成零點(diǎn)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)負(fù)載采樣電流動(dòng)態(tài)調(diào)整MOS管的工作狀態(tài)，進(jìn)而調(diào)節(jié)補(bǔ)償電阻電容的值，使其產(chǎn)生的動(dòng)態(tài)補(bǔ)償零點(diǎn)抵消LDO線性穩(wěn)壓器系統(tǒng)主極點(diǎn)位置隨負(fù)載電流大小變化給LDO線性穩(wěn)壓器穩(wěn)定性帶來(lái)的影響，從而使得L,DO線性穩(wěn)壓器系統(tǒng)的穩(wěn)定性與負(fù)載電流

3、大小無(wú)關(guān)。 之后，本論文利用上述給出的動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償方法，采用 UMC 0.6um BiCMOSprocess進(jìn)行了一款應(yīng)用于各類無(wú)線通訊設(shè)備高性能、高穩(wěn)定LDO線性穩(wěn)壓芯片設(shè)計(jì)。 最后，對(duì)所設(shè)計(jì)的LDO線性穩(wěn)壓芯片進(jìn)行了穩(wěn)定性驗(yàn)證和性能參數(shù)仿真，仿真結(jié)果表明：負(fù)載電流從0變化到150mA時(shí)，該LDO線性穩(wěn)壓芯片閉環(huán)傳輸函數(shù)曲線變化很小，具有很高的穩(wěn)定性；其典型參數(shù)仿真結(jié)果如下：輸出電壓2.5V±0.15％；最大漏失電壓6