低壓CMOS運放的可復用設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、目前片上系統(tǒng)(SoC)大多是采用深亞微米工藝設計的。基于縮短IC設計周期的考慮，特別在數(shù)字電路系統(tǒng)設計中，IP設計復用(reuse)技術(shù)得到廣泛的重視和發(fā)展，但對于模擬IP的設計復用技術(shù)的研究和應用則相對落后，迫切需要開展針對模擬IP的設計復用技術(shù)研究。同時隨著便攜式電子產(chǎn)品的普及，低電壓設計已成為電路系統(tǒng)工作的基本要求。 本論文設計工作來源于西安電子科技大學電路設計研究所的科研項目“模擬IP設計復用和驗證技術(shù)研究”，以模擬集成

2、電路中最基本和最重要的單元——運算放大器作為研究對象，對其在片上系統(tǒng)設計中的可復用和低電壓設計進行深入研究。首先詳細介紹了IP設計復用的重要性以及模擬IP復用的發(fā)展局限，其次針對低電壓CMOS運算放大器的可復用設計要求，分別討論并設計實現(xiàn)了低壓運算放大器的電路設計和版圖設計。 基于臺積電TSMC0.6um CMOS工藝，利用Cadence、Hspice等EDA工具，對所設計的低壓可復用運算放大器進行了仿真驗證。仿真結(jié)果表明，該運

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