基于光學鄰近校正的雙重圖形研究.pdf

1、集成電路設計發(fā)展到超深亞微米，其特征尺寸越來越小，并趨近于曝光系統(tǒng)的理論極限，光刻后硅片表面成像將產(chǎn)生嚴重的畸變，即產(chǎn)生光學鄰近效應(Optical Proximity Effect，OPE)。隨著光刻技術面臨更高要求和挑戰(zhàn)，雙重圖形技術(Double Patterning Technology，DPT)作為最新提出的光刻分辨率增強技術(Resolution Enhaneement Technology，RET)，其在45nm及以下節(jié)點

2、設計制造的重要性已在最近的國際半導體技術路圖(ITRS-2007)得到闡述，并獲得業(yè)界的廣泛青睞。 雙重圖形技術只需對現(xiàn)有光刻基礎設施進行很小的改動，就可以有效填補更小節(jié)點的光刻技術空白。然而，DPT流程及運算的復雜性困擾著設計人員將其應用到量產(chǎn)。除卻光刻設備所帶來的套刻精度(Overlay)等客觀因素，雙重圖形所面臨的艱難挑戰(zhàn)涉及到設計圖形分解、光學鄰近校正(OPC)和分解質(zhì)量驗證，這些將直接關系到生產(chǎn)設計良率和生產(chǎn)周期的提高

3、。 本論文主要探討DPT和OPC的交互問題，根據(jù)DP設計思想及目前所存在的分解問題，分析OPC重用策略，提出基于邊修正的OPC校正流程，用于DPT中OPC后版圖的局部修正和重用，該方法可有效植入現(xiàn)有MBOPC系統(tǒng)中。雙重圖形實施過程中，首要問題是分解問題。分解閃存單元等一維結(jié)構(gòu)相對直接，邏輯單元電路等的復雜二維(2D)結(jié)構(gòu)則不同，在將多邊形縫合成原始電路版圖的邏輯圖形時，往往會出現(xiàn)嚴重的頸縮和線條末端縮短等問題。我們首先根據(jù)雙重

4、圖形流程中OPC差別，將版圖分解劃分為三類，自然分解、重切割及重設計，由于后兩者分解的不確定因素不可避免地導致其對后續(xù)步特別是OPC的嚴重影響。通過分析光強、紋波效應、段移動、動態(tài)校正范圍等，我們建立起版圖分解和光學鄰近校正之間的關系，也就是有效利用前次OPC的段和段偏移量信息，從而使得校正信息的得到有效復用。同時，針對版圖的不用分解方式即保守還是激進的分析，光源不同參數(shù)設置探討作簡要分析展望。 雙重圖形技術面臨的諸多復雜過程將