基于光學(xué)鄰近校正的雙重圖形研究.pdf

1、集成電路設(shè)計(jì)發(fā)展到超深亞微米，其特征尺寸越來(lái)越小，并趨近于曝光系統(tǒng)的理論極限，光刻后硅片表面成像將產(chǎn)生嚴(yán)重的畸變，即產(chǎn)生光學(xué)鄰近效應(yīng)(Optical Proximity Effect，OPE)。隨著光刻技術(shù)面臨更高要求和挑戰(zhàn)，雙重圖形技術(shù)(Double Patterning Technology，DPT)作為最新提出的光刻分辨率增強(qiáng)技術(shù)(Resolution Enhaneement Technology，RET)，其在45nm及以下節(jié)點(diǎn)

2、設(shè)計(jì)制造的重要性已在最近的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路圖(ITRS-2007)得到闡述，并獲得業(yè)界的廣泛青睞。 雙重圖形技術(shù)只需對(duì)現(xiàn)有光刻基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行很小的改動(dòng)，就可以有效填補(bǔ)更小節(jié)點(diǎn)的光刻技術(shù)空白。然而，DPT流程及運(yùn)算的復(fù)雜性困擾著設(shè)計(jì)人員將其應(yīng)用到量產(chǎn)。除卻光刻設(shè)備所帶來(lái)的套刻精度(Overlay)等客觀因素，雙重圖形所面臨的艱難挑戰(zhàn)涉及到設(shè)計(jì)圖形分解、光學(xué)鄰近校正(OPC)和分解質(zhì)量驗(yàn)證，這些將直接關(guān)系到生產(chǎn)設(shè)計(jì)良率和生產(chǎn)周期的提高

3、。 本論文主要探討DPT和OPC的交互問(wèn)題，根據(jù)DP設(shè)計(jì)思想及目前所存在的分解問(wèn)題，分析OPC重用策略，提出基于邊修正的OPC校正流程，用于DPT中OPC后版圖的局部修正和重用，該方法可有效植入現(xiàn)有MBOPC系統(tǒng)中。雙重圖形實(shí)施過(guò)程中，首要問(wèn)題是分解問(wèn)題。分解閃存單元等一維結(jié)構(gòu)相對(duì)直接，邏輯單元電路等的復(fù)雜二維(2D)結(jié)構(gòu)則不同，在將多邊形縫合成原始電路版圖的邏輯圖形時(shí)，往往會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的頸縮和線條末端縮短等問(wèn)題。我們首先根據(jù)雙重

4、圖形流程中OPC差別，將版圖分解劃分為三類，自然分解、重切割及重設(shè)計(jì)，由于后兩者分解的不確定因素不可避免地導(dǎo)致其對(duì)后續(xù)步特別是OPC的嚴(yán)重影響。通過(guò)分析光強(qiáng)、紋波效應(yīng)、段移動(dòng)、動(dòng)態(tài)校正范圍等，我們建立起版圖分解和光學(xué)鄰近校正之間的關(guān)系，也就是有效利用前次OPC的段和段偏移量信息，從而使得校正信息的得到有效復(fù)用。同時(shí)，針對(duì)版圖的不用分解方式即保守還是激進(jìn)的分析，光源不同參數(shù)設(shè)置探討作簡(jiǎn)要分析展望。 雙重圖形技術(shù)面臨的諸多復(fù)雜過(guò)程將