薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料SnO-,2-的PECVD制備及其性能研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩56頁(yè)未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、二氧化錫(SnO2)是一種寬帶隙的金屬氧化物,其薄膜具有可見(jiàn)光透性強(qiáng)、電阻低、化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),是一種合適的薄膜太陽(yáng)能電池窗口材料。本論文采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法在玻璃襯底上制備了可見(jiàn)光透過(guò)率高達(dá)80%以上、方塊電阻低至81Ω/□、對(duì)襯底附著力強(qiáng)的SnO2薄膜。
   本論文包括以下四個(gè)部分:
   (1)簡(jiǎn)單介紹了太陽(yáng)能以及太陽(yáng)能電池的一些基本知識(shí),重點(diǎn)介紹了薄膜太陽(yáng)能電池的特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)以及薄膜太陽(yáng)

2、能電池窗口材料的選擇問(wèn)題;闡明課題背景和主要研究?jī)?nèi)容。
   (2)綜合介紹了各種制備SnO2 薄膜的方法及優(yōu)缺點(diǎn),比較選擇出等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)作為制備SnO2 薄膜的最佳方案;設(shè)計(jì)了PECVD 實(shí)驗(yàn)平臺(tái),并對(duì)平臺(tái)各個(gè)部分進(jìn)行了介紹。
   (3)以氯化亞錫(SnCl2)和O2為原料,利用PECVD 技術(shù)在玻璃襯底上制備了SnO2薄膜,并利用XRD、SEM、EDAX、紫外分光光度計(jì)、雙電測(cè)四探針測(cè)試

3、儀、超聲波等檢測(cè)儀器對(duì)薄膜的基本性能進(jìn)行了測(cè)試和分析;探討了PECVD法沉積SnO2 薄膜的反應(yīng)機(jī)理。
   (4)探討了PECVD 工藝參數(shù)對(duì)SnO2 薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、光電特性的影響。
   通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析得到在合適的工作條件下,制備出的SnO2 薄膜均勻,光電性能較好。
   本課題制備SnO2 薄膜主要著眼于其在薄膜太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用。采用PECVD法制備SnO2 薄膜是一種有益的嘗試,所獲結(jié)果

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論