SnO-,2-薄膜的PECVD法制備及其在CdTe電池中的應(yīng)用研究.pdf

1、本文依托863計(jì)劃“CdTe薄膜太陽電池制造技術(shù)及中試生產(chǎn)線”，重點(diǎn)研究了SnO2薄膜在太陽電池上的作為透明高阻層(HRT)應(yīng)用。CdTe電池作為目前最有廣泛應(yīng)用前景的一種薄膜太陽電池，其材料制備上的研究已經(jīng)開展的很普遍，為了進(jìn)一步提高電池效率，已經(jīng)開始在電池結(jié)構(gòu)上尋求突破，如：在TCO和CdS之間加入透明高阻層(HRT)以及在CdTe和背電極間加入重?fù)诫s的過渡層。這些結(jié)構(gòu)上的改變都極大的提高了CdTe太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。而未摻雜的Sn

2、O2薄膜由于它和廣泛采用的前電極SnO2：F是同一種物質(zhì)，有著相同的功函數(shù)并且和CdS層有良好的歐姆接觸，所以是一種較為理想的HRT過渡層材料?！　”疚木C合介紹了各種制備SnO2薄膜的方法及優(yōu)缺點(diǎn)，比較選擇出PECVD法作為制備本征SnO2薄膜的最佳方案。最終制備出做為HRT過渡層使用的本征SnO2薄膜，并進(jìn)行了薄膜退火研究。用X射線衍射儀(XRD)、紫外—可見光光譜儀(UV-VisabsorptionSpectrometer)以及光

3、電子能譜(XPS)等測(cè)試手段對(duì)制備出的薄膜進(jìn)行結(jié)構(gòu)和性能表征。結(jié)果表明：在200℃左右沉積出的SnO2薄膜均為非晶態(tài)，但在400℃左右薄膜開始逐漸變?yōu)槎嗑B(tài)。不同的SnCl1/O2流量比對(duì)SnO2薄膜的透過率影響明顯，發(fā)現(xiàn)最佳的流量比值，并對(duì)其電導(dǎo)率變化的機(jī)制進(jìn)行討論　　最后，本文研究了HRT在電池中的作用。分析了HRT與SnO2：F界面勢(shì)壘和HRT與CdS界面的點(diǎn)接觸特性。并將PECVD制備得到本征SnO2薄膜用于CdTe電池中，在