SiC晶片研磨加工表面層損傷檢測(cè)研究.pdf

1、隨著SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)的提高，SiC晶片尺寸也在逐漸增大，具有高效率、高精度、低損傷的新型研磨、拋光工藝正受到人們?cè)絹?lái)越多的重視。然而，研磨加工會(huì)不可避免地給SiC晶片帶來(lái)一定的表面層損傷，從而影響晶片的加工效率和加工成本。由于SiC晶片的硬度極高，化學(xué)穩(wěn)定性很強(qiáng)，晶片的加工和腐蝕難度很大，表面層損傷檢測(cè)非常困難。目前對(duì)SiC晶片研磨加工表面層損傷檢測(cè)的研究極少，因此深入研究SiC晶片研磨加工表面層損傷檢測(cè)技術(shù)對(duì)最終實(shí)現(xiàn)SiC晶片高效率

2、、高精度、無(wú)損傷、超光滑表面的加工有著重要的指導(dǎo)意義。
　　 本文結(jié)合SiC晶片研磨加工的表面層損傷形式，通過(guò)系統(tǒng)的試驗(yàn)研究確定了適合于研磨SiC晶片的表面層損傷檢測(cè)技術(shù)與試驗(yàn)方案。并對(duì)比分析了游離磨料研磨SiC晶片和固結(jié)磨料研磨SiC晶片的表面層損傷形式及形成原因。
　　 通過(guò)截面顯微法和顯微拉曼光譜法研究了游離磨料和固結(jié)磨料研磨SiC晶片的亞面損傷情況，工藝參數(shù)的影響規(guī)律及表面殘余應(yīng)力情況。研究結(jié)果表明:在研磨參數(shù)相

3、同的情況下，固結(jié)磨料研磨比游離磨料研磨加工損傷小、加工精度高。SiC晶片研磨加工的亞表面微裂紋構(gòu)型主要有垂線狀、斜線狀、鉤狀、樹(shù)枝狀、人字狀及橫線狀。相同加工條件下(0001)Si面和(0001)C面的損傷深度以及不同晶向處的損傷深度基本相同。同一晶面上，其損傷分布并不均勻，邊緣部分的損傷深度比中心部分大0.6μm-1μm左右。在其它研磨參數(shù)不變的情況下，當(dāng)磨粒粒度由W7增大到W28，研磨壓力由1psi增大到3psi時(shí)，SiC晶片的損傷