非對(duì)稱(chēng)-環(huán)狀電極的相變存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與模擬研究.pdf

1、相變存儲(chǔ)器作為最有前景的下一代非易失性存儲(chǔ)器之一，近年來(lái)得到了飛速的發(fā)展。在傳統(tǒng)的浮柵閃存工藝遇到等比例縮小的瓶頸時(shí)，相變存儲(chǔ)器在極小的工藝尺寸下仍能表現(xiàn)出優(yōu)異的性質(zhì)。但是目前相變存儲(chǔ)器單元也面臨reset電流過(guò)大的問(wèn)題，同時(shí)由于相變存儲(chǔ)器在讀寫(xiě)操作時(shí)會(huì)有溫度的變化導(dǎo)致的相態(tài)的改變，因此在工藝尺寸不斷縮小時(shí)，熱串?dāng)_的影響已經(jīng)不容忽視。
　　本論文設(shè)計(jì)了一種新型的非對(duì)稱(chēng)-環(huán)狀電極結(jié)構(gòu)相變存儲(chǔ)單元，基于有限元原理，利用有限元分析軟件A

2、NSYS建立了該結(jié)構(gòu)單元的三維模型，并改變其結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)其進(jìn)行了一系列電熱模擬。分析了在22nm的特征尺寸下該存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)參數(shù)（包括電極厚度，偏移量，絕緣材料半徑）對(duì)單元的reset電流以及窗口值的影響，然后選擇合適的參數(shù)與相同特征尺寸下的普通結(jié)構(gòu)的reset電流進(jìn)行了比較，仿真結(jié)果表明非對(duì)稱(chēng)-環(huán)狀電極結(jié)構(gòu)能夠有效降低相變存儲(chǔ)單元的reset電流。
　　為了分析熱沉層對(duì)相鄰單元熱串?dāng)_的影響，建立了非對(duì)稱(chēng)-環(huán)狀電極結(jié)構(gòu)相變存儲(chǔ)陣列的