采用抗輻射加固存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)靜態(tài)存儲(chǔ)器.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著工藝尺寸和電源電壓的減小，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）節(jié)點(diǎn)上存儲(chǔ)的電荷以二次方的速率減少，從而導(dǎo)致發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的幾率增大，嚴(yán)重的影響著存儲(chǔ)器的可靠性?？臻g輻射會(huì)對(duì)空間飛行器造成明顯的破壞，研究探索半導(dǎo)體器件電路抗輻射損傷效應(yīng)和機(jī)理，提高其抗輻射水平是近年國(guó)內(nèi)外微電子學(xué)領(lǐng)域十分重視的課題之一。因此抗輻射電子學(xué)己逐步成為一門(mén)綜合性很強(qiáng)的邊緣學(xué)科并發(fā)揮著愈來(lái)愈重要的作用。外太空輻射環(huán)境主要以三種方式影響CMOS器件：總劑量輻射效應(yīng)、單粒子

2、翻轉(zhuǎn)效應(yīng)和單粒子閂鎖效應(yīng)。
　　本文首先深入分析了抗輻射加固技術(shù)及其性能，在研究靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)存儲(chǔ)單元單粒子翻轉(zhuǎn)的基礎(chǔ)上采用一種存儲(chǔ)單元叫做雙向互鎖存單元(DICE)，可以實(shí)現(xiàn)抗單粒子翻轉(zhuǎn)從而避免了6管存儲(chǔ)單元無(wú)法抗單粒子翻轉(zhuǎn)的缺點(diǎn)。這種新穎的存儲(chǔ)單元對(duì)于晶體管的尺寸沒(méi)有特別的要求，和6管存儲(chǔ)單元相比面積增加100％，存儲(chǔ)單元靜態(tài)功耗為1.0345nW，但需要增加字線(xiàn)驅(qū)動(dòng)能力因此動(dòng)態(tài)功耗會(huì)增加。
　　本文設(shè)計(jì)

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