30850.過渡金屬摻雜mgxzn1xo單晶薄膜的外延型制備與性能研究_第1頁
已閱讀1頁,還剩132頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、分類號(hào):密級(jí):單位代碼:10422學(xué)號(hào):∥戶紊只SHANDONGUNIVER博士學(xué)位論文DissertationforDoctoralDegree論文題目:作者姓名生墨鶿培養(yǎng)單位專業(yè)名稱指導(dǎo)教師合作導(dǎo)師坰程學(xué)防年月日∥各~授臼一叢壚鲞一監(jiān)』4山東大學(xué)博士學(xué)位論文目錄中文摘要IAbstractV第一章緒論1第一節(jié)自旋電子學(xué)簡介11基于鐵磁金屬材料的自旋電子學(xué)22基于半導(dǎo)體材料的自旋電子學(xué)43自旋電子學(xué)研究的一些新領(lǐng)域9第二節(jié)磁性半導(dǎo)體12

2、1Eu的硫族化合物132過渡金屬摻雜II—vI族磁性半導(dǎo)體143Mn摻雜IIIV族磁性半導(dǎo)體144氧化物磁性半導(dǎo)體16第三節(jié)MgxZnlxO基本性質(zhì)及其在自旋電子學(xué)領(lǐng)域中的研究現(xiàn)狀一171Mg。ZnIxO材料的基本性質(zhì)l72MgxZnl囔O在自旋電子學(xué)領(lǐng)域中的研究現(xiàn)狀20第四節(jié)本論文的研究方法和內(nèi)容2l參考文獻(xiàn)24第二章樣品的制備技術(shù)和分析測試方法29第一節(jié)樣品制備技術(shù)291真空技術(shù)簡介292超高真空分子束外延技術(shù)一34第二節(jié)樣品的分析

3、測試方法371X一射線衍射(XIm)372反射式高能電子衍射(對(duì)EED)383拉曼光譜(Raman)394交變梯度磁強(qiáng)計(jì)(AGM)415超導(dǎo)量子干涉儀(SQUID)426X射線光電子能譜(XPS)一45第三章利用MgO緩沖層外延制各高質(zhì)量MgxZnl呵O單晶薄膜47第一節(jié)引言47第二節(jié)實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)48第三節(jié)實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論49第四節(jié)本章小結(jié)53參考文獻(xiàn)55第四章Mn摻雜Mg。Zn。幔O單晶薄膜的結(jié)構(gòu)、帶隙及Mn雜質(zhì)態(tài)研究57第一節(jié)引言57第二

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論