用于晶體硅薄膜電池生產(chǎn)的pecvd技術(shù)

1、用于晶體硅薄膜電池生產(chǎn)的用于晶體硅薄膜電池生產(chǎn)的PECVD技術(shù)技術(shù)摘要摘要隨著化石能源的日益枯竭、人們對(duì)環(huán)境保護(hù)問題的重視程度不斷提高，尋找潔凈的替代能源問題變得越來越迫切。太陽能作為一種可再生清潔能源，并可持續(xù)利用，因此有著廣闊的應(yīng)用前景，光伏發(fā)電技術(shù)也越來越受到人們的關(guān)注。一引言引言為了降低晶體硅太陽電池的效率，通常需要減少太陽電池正表面的反射，還需要對(duì)晶體硅表面進(jìn)行鈍化處理，以降低表面缺陷對(duì)于少數(shù)載流子的復(fù)合作用。硅的折射率為3.

2、8，如果直接將光滑的硅表面放置在折射率為1.0的空氣中，其對(duì)光的反射率可達(dá)到30%左右。人們使用表面的織構(gòu)化降低了一部分反射，但是還是很難將反射率降得很低，尤其是對(duì)多晶硅，使用各向同性的酸腐蝕液，如果腐蝕過深，會(huì)影響到PN結(jié)的漏電流，因此其對(duì)表面反射降低的效果不明顯。因此，考慮在硅表面與空氣之間插一層折射率適中的透光介質(zhì)膜，以降低表面的反射，在工業(yè)化應(yīng)用中，SiNx膜被選擇作為硅表面的減反射膜，SiNx膜的折射率隨著x值的不同，可以從1

3、.9變到2.3左右，這樣比較適合于在3.8的硅和1.0的空氣中進(jìn)行可見光的減反射設(shè)計(jì)，是一種較為優(yōu)良的減反射膜。另一方面，硅表面有很多懸掛鍵，對(duì)于N型發(fā)射區(qū)的非平衡載流子具有很強(qiáng)的吸引力，使得少數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合作用，從而（2）板式PECVD系統(tǒng)：即將多片硅片放置在一個(gè)石墨或碳纖維支架上，放入一個(gè)金屬的沉積腔室中，腔室中有平板型的電極，與樣品支架形成一個(gè)放電回路，在腔室中的工藝氣體在兩個(gè)極板之間的交流電場(chǎng)的作用下在空間形成等離子體，分解S

4、iH4中的Si和H，以及NH3種的N形成SiNx沉積到硅表面。這種沉積系統(tǒng)目前主要是日本島津公司在進(jìn)行生產(chǎn)。間接法又分成兩種：（1）微波法：使用微波作為激發(fā)等離子體的頻段。微波源置于樣品區(qū)域之外，先將氨氣離化，再轟擊硅烷氣，產(chǎn)生SiNx分子沉積在樣品表面。這種設(shè)備目前的主要制造商為德國(guó)的Roth&Rau公司。（2）直流法：使用直流源激發(fā)等離子體，進(jìn)一步離化氨氣和硅烷氣。樣品也不與等離子體接觸。這種設(shè)備由荷蘭的OTB公司生產(chǎn)。目前，在中國(guó)