單向雙端口sram的測試算法

1、單向雙端口單向雙端口SRAMSRAM的測試算法的測試算法技術(shù)分類：測試與測量|20071018來源：固體電子學(xué)研究與進(jìn)展|劉偉周玉梅葉青引言單向雙端口SRAM是一種專用的存儲器，它具有獨立的寫地址總線和讀地址總線，不僅可以實現(xiàn)單端口的讀寫，還可以對不同地址的存儲單元進(jìn)行同時讀寫操作，提高了SRAM的性能。本文分析了單向雙端口SRAM的失效模式，并描述了相應(yīng)的基于字的檢測算法。存儲器模型存儲器模型圖1表示了33的單向雙端口SRAM模塊的結(jié)

2、構(gòu)示意圖，輸入為讀地址總線、寫地址總線和輸入數(shù)據(jù)總線，輸出為輸出數(shù)據(jù)總線。每一個存儲單元都有四個端口，分別是數(shù)據(jù)寫入(BW)，數(shù)據(jù)讀出(BR)，寫地址端口(WA)和讀地址端口(RA)。在這種結(jié)構(gòu)中，同一列單元的數(shù)據(jù)寫入端和讀出端連到總線上，輸出采用了線與的方式。對于字長大于1的存儲器來說，讀地址和寫地址一次選中一行，一行中所有的存儲單元多個耦合失效，或耦合失效和地址譯碼失效復(fù)合在一起。復(fù)合失效可以相互掩蓋而可能通過檢測，必須合理地選擇測

3、試算法，以小的測試復(fù)雜度，達(dá)到大的失效覆蓋率單向雙端口單向雙端口SRAMSRAM的檢測算法的檢測算法目前對存儲器的檢測算法主要基于功能級的失效模型，測試算法必須滿足失效發(fā)生的條件，通過寫入或讀出測試向量激活失效，并通過讀操作檢測出來。當(dāng)讀出值與預(yù)期值不同時，可以判定存儲器失效。隊列測試方法具有測試時間短、結(jié)構(gòu)簡單、易于用自檢測電路實現(xiàn)而被普遍采用。它包含了一組測試元素，時間復(fù)雜度為O(n)，n表示存儲單元的容量。以MATS法為例，表示方

4、法為(Write0)m1；(read0，Write1)m2；(read1，Write0)m3，包括了3組測試元素M1、M2、M3，其中T(read1，Write0)表示以地址遞減的順序?qū)γ恳粋€單元進(jìn)行讀1和寫0操作，總的時間復(fù)雜度為5n。由于讀寫操作都是基于字的，因此采用基于字的檢測方法，把失效檢測劃分成三部分，字間失效檢測、字內(nèi)失效檢測和同時讀寫失效檢測。下面以3位字長的單向雙端口存儲器為例來說明測試算法。字間失效檢測字間失效檢測字間