模擬電子電路基礎(chǔ)答案胡飛躍第四章答案

1、4.1簡(jiǎn)述耗盡型和增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的區(qū)別；對(duì)于適當(dāng)?shù)碾妷浩茫╒DS0V，VGSVT），畫(huà)出P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)要說(shuō)明溝道、電流方向和產(chǎn)生的耗盡區(qū)，并簡(jiǎn)述工作原理。解：耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在制造過(guò)程中預(yù)先在襯底的頂部形成了一個(gè)溝道，連通了源區(qū)和漏區(qū)，也就是說(shuō)，耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管不用外加電壓產(chǎn)生溝道。而增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管需要外加電壓VGS產(chǎn)生溝道。隨著VSG逐漸增大，柵極下面的襯底表面會(huì)積聚越來(lái)越多的空穴，當(dāng)空穴數(shù)量達(dá)到一定時(shí)，柵極下

2、面的襯底表面空穴濃度會(huì)超過(guò)電子濃度，從而形成了一個(gè)“新的P型區(qū)”，它連接源區(qū)和漏區(qū)。如果此時(shí)在源極和漏極之間加上一個(gè)負(fù)電壓，那么空穴就會(huì)沿著新的P型區(qū)DSV定向地從源區(qū)向漏區(qū)移動(dòng)，從而形成電流，把該電流稱為漏極電流，記為。當(dāng)一定，而DiSGv持續(xù)增大時(shí)，則相應(yīng)的減小，近漏極端的溝道深度進(jìn)一步減小，直至，溝道預(yù)SDvDGvDGtvV?夾斷，進(jìn)入飽和區(qū)。電流不再隨的變化而變化，而是一個(gè)恒定值。DiSDv4.2考慮一個(gè)N溝道MOSFET，其=

3、50μAV2，Vt=1V，以及WL=10。求下列情況nk?下的漏極電流：（1）VGS=5V且VDS=1V；（2）VGS=2V且VDS=1.2V；（3）VGS=0.5V且VDS=0.2V；（4）VGS=VDS=5V。(1)根據(jù)條件，，該場(chǎng)效應(yīng)管工作在變阻區(qū)。GStvV…??DSGStvvV??=1.75mA??2DnGStDSDS12WikvVvvL??????????(2)根據(jù)條件，，該場(chǎng)效應(yīng)管工作在飽和區(qū)。GStvV…??DSGStv

4、vV??=0.25mA??2DnGSt12WikvVL???(3)根據(jù)條件，該場(chǎng)效應(yīng)管工作在截止區(qū)，GStvV?D0i?(4)根據(jù)條件，，該場(chǎng)效應(yīng)管工作在飽和區(qū)GStvV…??DSGStvvV??=4mA??2DnGSt12WikvVL???4.3由實(shí)驗(yàn)測(cè)得兩種場(chǎng)效應(yīng)管具有如圖題4.1所示的輸出特性曲線，試判斷它們的類型，并確定夾斷電壓或開(kāi)啟電壓值。(2)p型GDSN?N?耗盡層4.6用歐姆表的兩測(cè)試棒分別連接JFET的漏極和源極，測(cè)得

5、阻值為R1，然后將紅棒（接負(fù)電壓）同時(shí)與柵極相連，發(fā)現(xiàn)歐姆表上阻值仍近似為R1，再將黑棒（接正電壓）同時(shí)與柵極相連，得歐姆表上阻值為R2，且R2R1，試確定該場(chǎng)效應(yīng)管為N溝道還是P溝道。解：時(shí)，低阻抗，時(shí)，高阻抗，即時(shí)導(dǎo)通，所以該管為P溝道GS0v?GS0v?GS0v?JFET。4.7在圖題4.2所示電路中，晶體管VT1和VT2有Vt=1V，工藝互導(dǎo)參數(shù)=100μAV2。nk?假定?=0，求下列情況下V1、V2和V3的值：（1）(WL)