2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、目前，自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器(spin-transfer torque random access memory, STT-RAM）因?yàn)榫哂锌蓴U(kuò)展性良好，存儲(chǔ)密度高和靜態(tài)功耗低等多種優(yōu)良特性，被認(rèn)為是最有潛力替代SRAM緩存的存儲(chǔ)器。一個(gè)STT-RAM單元的面積僅有 SRAM的1/3到1/9，在相同的面積下能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)大于 SRAM容量的STT-RAM緩存，有效提高處理器系統(tǒng)的性能。然而，STT-RAM也存在一些缺陷，比如長(zhǎng)寫(xiě)延遲和高

2、寫(xiě)功耗，嚴(yán)重制約了其作為緩存時(shí)的性能表現(xiàn)。為了解決該問(wèn)題，我們考慮改變STT-RAM的數(shù)據(jù)保持時(shí)間來(lái)得到不同的寫(xiě)性能，并提出基于多種不同保持時(shí)間STT-RAM單元搭建完整的STT-RAM緩存層級(jí)架構(gòu)。對(duì)于最高層級(jí)緩存（L1緩存），我們使用低保持時(shí)間的STT-RAM單元，其優(yōu)異的寫(xiě)性能可以滿(mǎn)足較高層級(jí)的性能要求，經(jīng)過(guò)測(cè)試，本文提出的L1緩存性能與常規(guī)SRAM緩存相同，而能耗只有其57.8％；對(duì)于較低層級(jí)緩存，本文提出基于多種不同保持時(shí)間的

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